LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)功率晶体管是一种广泛应用于射频功率放大器、无线通信系统、雷达系统、广播电视系统等领域的电子器件。 LDMOS晶体管的结构类似于MOSFET,但通过横向扩散工艺实现了大功率性能。它具有高可靠性、高线性度、高效率、高功率密度等优点,能够承受高电压和电流,并且具有较小的热阻和良好的散热性能。 LDMOS晶体管的工作原理是通过控制栅极电压来控制电流的开关。当栅极电压增加时,通道形成,电流可以通过通道流动。当栅极电压减小或为零时,通道关闭,电流无法流动。因此,通过控制栅极
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射频(RF)功率技术领域的提供商飞思卡尔半导体日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员:包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓(GaN) 晶体管,所有产品均超越了严格的地面移动市场要求,具有超强耐用性。