宽禁带功率半导体是指禁带宽度大于一定值（如大于或等于3.2电子伏特）的一类半导体材料。常见的宽禁带功率半导体材料包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）以及金刚石等。这类材料通常不需要钝化层，提高了其在短波长下的反应速度和稳定性。 宽禁带功率半导体器件在多个方面展现出显著的优势。首先，由于其禁带宽度较大，这些器件可以在高温环境下工作，具有较高的热稳定性和较低的内部噪声。这使得它们在高温电子器件、高功率电子器件和光电子器件等领域具有广阔的应用前景。其次，宽禁带功率半导体的导电机制与传统的
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