MOSFET一般指MOS。 MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
有关“MOSFET”的最新话题,搜索27971 次
本文仅将对SiC MOSFET的快速短路检测与保护和IGBT和MOSFET免受ESD损坏与静电击穿及新型静电防护(ESD)技术等二大热点作研讨。
本文以轻度混合动力汽车 (MHEV)为例,对其在48V MHEV系统应用特征,包括对如何在48V MHEV中使用标准硅降压转换器MOSFET电路,包括汽车电力电子需要低EMI、并联MOSFET、辅助48V系统与48V电池、48V前端降压转换器等应用问题与新能源电动车热控制的电力驱动器与功率器件设计选择二大问题作研讨分析。
本文通过介绍 SiC 材料及 SiC 功率器件特性,指出 SiC 功率器件非常适合高频、高压化。文章通过设计一台额定输入功率 5.4kW、开关频率 30kHz 的光伏 boost 变换器,分析计算 SiC-MOSFET 损耗远远低于 Si-MOSFET 和 Si-IGBT 损耗。使用 SiC-MOSFET 的光伏发电系统具有转换效率高、发电量高的优势。
反激式开关电源输出整流滤波电路原理上是最简单的。但是,由于反激式开关电源的能量传递必须通过变压器转换实现,并压器的初次级两侧的开关(MOSFET或整流二极管)均工作在电流断续状态。
开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。随着随着电力电子技术的发展和创新,目前开关电源主要以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用到几乎所有的电子设备,其重要性可见一斑。
开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。
研究了基于新一代宽禁带1200V 碳化硅(SiC)MOSFET 三相双向逆变器,由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET 的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT 相比省略了开关器件的反并联二极管。
电源模块是置于印刷电路板(PCB)上某个封装内的独立元件,其中包含整个开关电源(含电感)。脉宽调制(PWM)控制器、MOSFET驱动器、功率MOSFET、反馈网络和磁性元件都包含在同一个封装内。
近来, LLC拓扑以其高效,高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐,但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。
在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。