SiC-MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新型的功率半导体器件，它采用了碳化硅（SiC）材料作为衬底，并在上面生长了一层薄薄的金属氧化物半导体（MOS）层。与传统的硅基 MOSFET 相比，它具有更高的开关速度、更低的导通电阻和更强的耐压能力，因此在电力电子领域有着广泛的应用前景。
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