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#SiC-MOSFET

SiC-MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种新型的功率半导体器件,它采用了碳化硅(SiC)材料作为衬底,并在上面生长了一层薄薄的金属氧化物半导体(MOS)层。与传统的硅基 MOSFET 相比,它具有更高的开关速度、更低的导通电阻和更强的耐压能力,因此在电力电子领域有着广泛的应用前景。

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