MOSFET,全称为金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),是一种广泛应用于模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,其应用范围涵盖了通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。 在MOSFET产品中,有一种特殊的产品叫做IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即绝缘栅双极型晶体管。IGBT是由双极型
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恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)近日推出54款符合汽车工业标准并采用LFPAK56封装的全新MOSFET——是目前市场上的Power-SO8 MOSFET产品组合。
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS™ P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆,从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装占位面积仅有2 x 2 mm,高度仅为0.65 mm,专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。
安森美18款MOSFET产品 适用于计算机CPU/GPU供电