【TDK展】材料是提高层压陶瓷电容器容量的关键
2005-05-23 08:53:58
来源：日经BP社
TDK在“TDK技术论坛2005”上，展示了封装面积为2.0mm×1.2mm（即所谓“2012尺寸”）、静电容量为100μF的层压陶瓷电容器。该产品目前还在开发，陶瓷介电体的厚度为0.5μm，电极厚度为0.6μm。预计在2007年～2008年前后上市。目前该公司正在生产5750尺寸，4532尺寸和3225尺寸的100μF型产品。2005年秋季还将上市介电体和电极分别为1μm、采用3216尺寸的100μF型产品。
通过减小介电体厚度，即可增大电容器的静电容量。TDK一方面致力于减小介电体的厚度，一方面还在推进介电体粉末材料的微细化。目前是由钛酸钡（BaTiO3）和添加物混合后粉碎使用。据悉，该公司正在开发两项面向未来的新技术，一是与现有技术相比可得到晶格缺陷较少的结晶粒子的水热合成法；二是可合成直径在10nm左右的粒子的CVD法等粉末合成法。假设只要粒子的直径越小，介电体的厚度就会越薄，那么当介电体粉末的粒子直径为20nm时，介电体的厚度就是0.08μm，这样一来，比如说就可以实现3216尺寸的1万μF型产品。
此外，作为提高介电率和可承受电压的方法，该公司还在考虑使粒子具备特定的内部结构。例如，具有内部为钛酸钡、外部为添加物钛酸锶（SrTiO3）这一双层构造的粒子；在钛酸钡粒子中，所添加的钇（Y）的浓度从中心向外侧不断改变的粒子。通过使用上述粒子，有望使整个介电体材料的添加物分布均匀，提高介电率和可承受电压。
通过减小介电体厚度，即可增大电容器的静电容量。TDK一方面致力于减小介电体的厚度，一方面还在推进介电体粉末材料的微细化。目前是由钛酸钡（BaTiO3）和添加物混合后粉碎使用。据悉，该公司正在开发两项面向未来的新技术，一是与现有技术相比可得到晶格缺陷较少的结晶粒子的水热合成法；二是可合成直径在10nm左右的粒子的CVD法等粉末合成法。假设只要粒子的直径越小，介电体的厚度就会越薄，那么当介电体粉末的粒子直径为20nm时，介电体的厚度就是0.08μm，这样一来，比如说就可以实现3216尺寸的1万μF型产品。
此外，作为提高介电率和可承受电压的方法，该公司还在考虑使粒子具备特定的内部结构。例如，具有内部为钛酸钡、外部为添加物钛酸锶（SrTiO3）这一双层构造的粒子；在钛酸钡粒子中，所添加的钇（Y）的浓度从中心向外侧不断改变的粒子。通过使用上述粒子，有望使整个介电体材料的添加物分布均匀，提高介电率和可承受电压。
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