Vishay推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器
2013-04-09 11:45:18
来源：21IC
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摘要： Vishay推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M。
关键字： Vishay，缓冲电容器，MKP386M，IGBT
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上，容量从0.047µF到10µF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7个电压等级。
MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰(EMI)的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器，以及风力机逆变器、中功率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。Vishay还提供结构长度58mm的器件，用于高功率IGBT模块。
缓冲电容器的ESR低至1.5mΩ，容量公差±5 %，引线间隔的每毫米自感为0.7nH，RMS电流高达20A。器件采用阻燃塑料外壳和环氧树脂密封，无铅、无卤素，符合RoHS指令。
MKP386M现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十周到十二周。
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