中德电子-2021 广告 雅玛西-2021 广告

英飞凌推出650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7

2013-05-20 11:56:25 来源:大比特商务网

摘要:  英飞凌科技股份公司推出采用全新650V超结$MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。

关键字:  英飞凌功率转换MOSFET技术

英飞凌科技股份公司(FSE代码: IFX / OTCQX代码: IFNNY)进一步壮大其高压产品组合,推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外,得益于低开关损耗,还可在任何负载条件下实现能效改进。C7适用于连续导通模式功率因数校正(CCM PFC)、双管正激(TTF)和太阳能升压拓扑等硬开关拓扑,典型应用包括太阳能、服务器、电信设备和UPS(不间断电源)。650V击穿电压还使C7适用于需要额外安全裕度的应用。

英飞凌推出650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7

“C7延续了高品质超结CoolMOS技术12年创新发展之路,进一步巩固了英飞凌在高端功率转换领域的领导地位。”英飞凌高压功率转换产品负责人Jan-Willem Reynaerts指出,“凭借CoolMOS C7一流的品质因数(RDS(on)*EOSS),我们的客户可以设计出前所未有的具有更高功率密度和效率的新一代功率转换系统。”

C7系列提供全球最低导通电阻,TO247封装可以到19m?,TO220和D2PAK可以到45m?。如今,C7的快速开关性能可使客户服务器PFC级首次实现100 kHz以上的开关频率,同时达到钛级能效。这可降低对无源组件的空间要求,从而提高功率密度。

此外,降低的输出电容(Eoss)以及低栅极电荷(Qg)还提高了轻载条件下的能效。将性能一流的C7与英飞凌全新的碳化硅(SiC)thinQ!第五代肖特基二极管系列和ICE2 / ICE3控制IC结合在一起,可设计出性能无与伦比的CCM PFC电路。

供货情况

650V CoolMOS C7现已可提供样品。将于2013年6月开始量产。

关于英飞凌

总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。2012财年(截止到9月30日),公司实现销售额39亿欧元,在全球拥有约26,700名雇员。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场(OTCQX)International Premier(股票代号:IFNNY)挂牌上市。

英飞凌在中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1996年在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有1300多名员工,已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

本文为哔哥哔特资讯原创文章,未经允许和授权,不得转载,否则将严格追究法律责任;
Big-Bit 商务网

请使用微信扫码登陆