全球第一条12英寸硅片生产线于1997年在德国德累斯顿开始兴 建，由此开始了硅片由8英寸向12英寸过渡的序幕。 　　据iSuppli统计，2002年全球共有14座12英寸生产线，其中3 座，即21%为纯代工线。到2004年底，全球共有24座12英寸生产线， 其中有7座为纯代工线，占29%。iSuppli预测至2006年全球将有47 座12英寸生产线，而其中只有9座为纯代工生产线。 　　近日TSMC报道其90纳米12英寸芯片生产线已进入量产水平，即离 开了风险运行状态。另一家Intel宣布其在爱尔兰的12英寸生产线 也进入批量生产水平。可见12英寸芯片生产线正处于转移的关键阶段。 　　推动力来自何方 　　在摩尔定律驱使下，全球半导体工业义无反顾地向前推进，主要 表现为两大方面：硅片直径的增大及芯片的特征尺寸缩小，其中尤以 特征尺寸缩小为优先。 　　从直观概念上也可以看到，12英寸比8英寸硅片面积大了2.25倍， 而如果同样的一条生产线，即品种及工艺完全相同，从运营成本上12 英寸线仅增加30%，所以从长远看，向大直径硅片过渡是必然的。但 是并不等于说，现在市场上8英寸、6英寸甚至4英寸的芯片生产线就 一定马上被淘汰。目前12英寸仍不占绝对优势，增长的态势还不是很 快。 　　为什么一再推迟 　　据iSuppli今年7月报道，全球12英寸的fab实际上仅有55%的 工厂安装了设备，也即仍有45%的厂房空置。预计至2005年底能达67% 及2006年底达85%。分析其原因不外有以下几点。 　　第一，自2001年开始，半导体工业开始又一次下降周期，而且来 势十分凶猛，资金短缺。 　　第二，终端市场没有大的需求。 　　第三，几个重大的技术问题共同作用，即12英寸、铜互连及低k 介质材料。三个大问题堆积在一起，而且要同时得到解决，实属不易。 如12英寸的设备，不是简单的将8英寸设备托盘放大就能成功。经过 实践，发现许多设备要重新设计。铜互连工艺中，由于改变了沿用30 年之久的铝工艺，进展不是很顺利。尤其不好过关的是低k介质材料。 如果材料的k值低不过3.0，似乎就没有意义，然而k值要越低，其结 构越是疏松，在之后的CMP磨平工艺中，成品率很低。所以12英寸芯 片生产线，除了市场的因素之外，很主要的还是技术上不过关，成品 率低是最大的障碍。 　　第四，尽管12英寸从长远看，一定会占优势，但是至今，由于8 英寸生产线，大多已正常运作了6年-8年，早已过了设备的折旧期， 目前大多数还是稳守在0.13微米以上的8英寸生产线。 　　第五，12英寸芯片生产线的磨合尚需时间，至少要等到2007年或 者2008年才有可能达到全球硅片产出的30%，即每月产出12英寸硅片 约130万片左右。 　　12英寸硅片很可能是摩尔定律的最后硅基材料，其上升的速度， 由于受到市场需求的限制，不会很快。 　　分析家预言，即使有人要考虑更大直径的硅片，如16英寸或者18 英寸，那至少也是2010年之后的话题。所以，12英寸硅片最终成为半 导体工业的主流趋势不会改变。