AOS新推150V MOSFET器件AON6250追求极致效率
摘要： 万国半导体(AOS)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS (MOS)中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。
关键字： 万国半导体，MOSFET器件，工业电源，太阳能微逆变器
日前，集设计研发一体的著名功率半导体及芯片供应商万国半导体(AOS)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS (MOS)中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。AON6250适用于通信及工业电源DC/DC转换器原边开关、AC/DC及DC/DC转换器副边同步整流，太阳能微逆变器，以及通信系统中的负载点模块(POL)。
采用先进的AlphaMOS技术，AON6250实现了业界领先的低导通内阻和高速开关性能。该产品与上一代产品相比，内阻降低了57%;与市场上现有最先进的同类型150V器件相比，内阻降低了8% ，除此之外， AON6250的优值(RDS(ON)* COSS)也是市场上最好的，从而可以有效降低开关损耗。因此无论是轻载条件还是重载条件，效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封装，符合绿色环保产品相关规定，且电气性能方面100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试。继AON6250之后，万国半导体(AOS)将发布一系列150V MOSFET产品。
AOS新推150V MOSFET器件AON6250
“终端客户总是要求电源系统输出更高功率并且占用更小的空间，这让电源设计工程们面临严峻考验”，AOS高级产品经理Stephen表示， “实现其功率密度，需要器件具有极低的导通内阻以及良好的开关性能，AON6250正好可以满足工程师的需求。”
AON6250技术优势:
●150V N-channel MOSFETin a DFN5x6 package
●RDS(ON)< 16.5 mOhms max at VGS= 10V (业内最低内阻)
●COSS= 213 pF typ
●Qg(10V) = 30.5 nC typ
●业内最低RDS(ON)* COSS(优值， 可以有效降低开关损耗)
●100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试
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