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对于电压型驱动器件的 IGBT 而言，主要的驱动参数包括驱动电压、驱动电路输出功率、栅极电阻、栅极至发射极电容和栅极回路电感等参数。本文主要是探讨这些参数如何影响IGBT开关性能，由此选择出合适的驱动参数，从而优化IGBT开关性能。
提出一种新型的零电压零电流开关(zero voltage zero current switching，ZVZCS)脉宽调制(pulse width modulation， PWM)全桥变换器。通过副边串联能量电感和电容滤波，可抑制副边二极管电压尖峰且消除其反向恢复损耗；同时，副边整流桥一桥臂采用同步整流管以及原边引入耦合电感提高了该变换器的软开关性能和效率。
本文分析了快速开关MOSFET封装寄生电感对开关性能的影响。封装源电感是决定切换时间的关键参数，后者与开关速度和开关可控性密切相关。
飞兆半导体的阳极短路型IGBT具有高可靠性和卓越开关性能，适用于高功率感应加热应用
随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。
