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本文将从源头上对与静电放电密切相关的静电噪声诱发干扰问题的抑制与防护作研讨。并且对静电释放、布置贯穿整个工艺链的静电释放保护区的物理学背景和如何选择合适的设备等问题以及防静电新技术发展趋势作分析。由此以阐述半导体器件的静电破坏模式为典例作引导说明。
本文将从源头上应对与静电放电密切相关的电磁噪声诱发等干扰问题作抑制并防护,也应在解决方案中对静电保护器件---EMI静噪滤波器应用作说明，并且对防静电新技术发展新趋势作分析。
本文将对其静电产生的理念尤其是半导体器件的静电破坏模式先作阐述，并重点对新型数字隔离技术在静电放电保护中的应用与通过 静电电位传感器“EP传感器”及多种技术装置在静电放电保护中应用的举措作重点研讨。与此同时,也着重对数字隔离器的正确放置对其芯片损害的保护问题作分析。
