DMOS晶体管是一种特殊类型的场效应晶体管，它利用了沟道中“平行”的双表面上的反向电场来进行导通。其核心特征在于双表面的MOSFET。 DMOS晶体管分为两种类型：横向和纵向。横向DMOS（LDMOS）通常用于高电压应用，因为它具有更强的耐压能力。 高压DMOS晶体管提供横向n沟道LDMOS晶体管的改进结构以避免在晶体管工作期间发生的栅极氧化物破裂。LDMOS晶体管包括电介质隔离结构，该电介质隔离结构将包括寄生NPN晶体管的区域与由于弱影响电离而产生空穴电流的区域（即LDMOS晶体管的扩展漏极区域）
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