SiC 单管即碳化硅单管，是一种基于碳化硅（SiC）材料制成的功率半导体器件.结构与原理 SiC 单管通常采用 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）结构，由源极、栅极和漏极组成。其原理是通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流通道，从而实现对电流的控制. 与传统的硅基 MOSFET 相比，SiC MOSFET 具有更高的电子迁移率和临界击穿场强，这使得它能够在更高的电压、电流和温度下工作，并且具有更低的导通电阻和开关损耗
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