SiC 器件，即碳化硅器件，是一类基于碳化硅（SiC）材料制造的电子器件。 碳化硅是一种宽禁带半导体材料，相比传统的硅材料，具有一系列优异的性能： 更高的击穿电场强度：这使得 SiC 器件能够承受更高的电压，适用于高压应用场景。 更高的热导率：有助于器件更好地散热，提高工作的稳定性和可靠性。 更高的电子饱和漂移速度：能够实现更高的工作频率和更快的开关速度。 常见的 SiC 器件包括： SiC 二极管：如肖特基二极管，具有低导通压降和快速恢复特性。 SiC 晶体管：例如 SiC MOSFET（金属氧化物半
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