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作为有利于节能的逆变器所用的功率器件，富士电机公司已开发出高耐压低损耗的SiC混合模块。该混合模块采用了SiC-SBD芯片和最新第6代「V系列」IGBT芯片，并确认在300A的产品中，与原来Si模块比较，产生的损耗约下降25%，由于高耐压SiC混合模块器件本身损耗的大幅度降低，这对逆变器的高效率化极为有利。
