SiC混合模块是一种结合了碳化硅(SiC)材料与其他材料的功率电子模块。这种模块利用SiC材料的优异特性,如高电子迁移率、高击穿电场、高热导率等,来提升电力电子系统的性能。 SiC混合模块的设计和应用旨在实现高功率密度、高效率、高可靠性以及快速开关等目标。通过优化模块的结构和封装技术,可以进一步提高其性能并降低制造成本。 在SiC混合模块中,SiC功率器件与其他材料(如硅基功率器件)的结合使用可以充分发挥各自的优势。例如,SiC二极管具有低存储电荷的特性,可以显著降低导通损耗,提高开关频率或电流处理
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作为有利于节能的逆变器所用的功率器件,富士电机公司已开发出高耐压低损耗的SiC混合模块。该混合模块采用了SiC-SBD芯片和最新第6代「V系列」IGBT芯片,并确认在300A的产品中,与原来Si模块比较,产生的损耗约下降25%,由于高耐压SiC混合模块器件本身损耗的大幅度降低,这对逆变器的高效率化极为有利。