TMR传感器，即穿隧磁阻效应（Tunnel Magnetoresistance Effect）传感器，是一种新型的磁性传感器。它的发现要归功于日本东北大学的Terunobu Miyazaki教授，他于1995年首次发现了这种传感器。TMR传感器具有独特的优点，包括高灵敏度、低功耗和低温依赖性。 TMR传感器的结构由三层薄膜组成，包括固定层、阻隔层和自由层。固定层的铁磁方向是固定的，而自由层的铁磁方向则与外部磁场对齐。阻隔层的电阻率会随着钉扎层和自由层磁化方向的增量而变化。当两种铁磁物料的磁化方向平行时
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