英飞凌的30V N沟道MOSFET系列专为低电压转换而设计
2005-04-05 08:53:42
来源：国际电子商情
半导体分销商品佳公司近日推广英飞凌的Super SO8封装OptiMOS2 30V N沟道MOSFET系列产品——BSC079N03SG/094N03SG/119N03SG。该系列产品是英飞凌特别为低电压转换与切换应用而设计的，其效率比先前的笔记计算机、服务器、电信应用的电压转换设备高很多。
此系列器件采用无铅工艺制造，符合欧盟规范。BSC079N03SG/094N03SG/119N03SG采用30V OptiMOS2技术，是OptiMOS2系列中最具产品竞争力的产品。上述器件在4.5V栅极电压下，最大导通电阻(RDS(on))为12mΩ，总网关充电电荷(Qg)低至12nC，表现极佳的144 mnC优劣评比(FOM = RDS(on) x Qg)。
在芯片的连接方面，BSC079N03SG/094N03SG/119N03SG使用铜夹技术取代传统的封装焊线。而且把限制在高电流下切换速度的寄生源电感(parasitic source inductance)减少为原先技术的1/20。Super SO8封装还具有低热电阻(Rth)以提供良好的散热管理。利用这种新型SuperSO8的优势可降低切换功耗达50%。 BSC079N03SG/094N03SG/119N03SG产品适用于Notebook Vcore、DC/DC转换器、稳压器(VRM)模块，以及一般用途的电源开关。
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