东芝新型DTMOS功率MOSFET最大导通电阻仅0.3Ω
2005-04-07 08:39:49
来源：国际电子商情
东芝(Toshiba)公司日前宣布推出一种名为DTMOS的新式功率MOSFET。由于拥有垂直通道，超结合技术结构(Super Junction Structure)允许电流在硅衬底顺利流通，从而降低了导通电阻。在应用超结合技术结构和优化设备的基础上，同系列的东芝DTMOS设备与东芝传统的MOSFET相比，导通电阻的栅极电荷(Qg)减少40%。
首款采用DTMOS技术的产品是TK15A60S，它定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器等应用。东芝公司将于近日发布最新MOSFET样品，将在2005年4月投入生产。
TK15A60S的工作电流/电压为15A/600V，最大导通电阻0.3Ω，采用TO-220SIS封装，样品于2005年3月面世，单价为2.90美元(仅供参考)。
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