美国国家半导体公司日前宣布，将在06年底前实现生产工序无铅化，这意味着该公司出售的集成电路将会全部采用不含铅封装。 美国国家半导体除了在封装工艺上停止采用铅之外，也大幅减少采用溴及含锑的防燃剂。

　　美国国家半导体每年生产50多亿颗芯片，而这些芯片分别采用70多种不同的封装。该公司在美国德州阿灵顿、英国苏格兰格里诺克及美国缅因州南波特兰均设有圆片厂，而这些圆片厂分别生产内含数百或数千颗微芯片的6英寸及8英寸圆片。有关圆片会运送到美国国家半导体设于马来西亚马六甲、新加坡及中国苏州的测试及装配厂，以便进行切割及测试，然后装嵌到塑料封装和不含铅封装之内。

　　自从美国国家半导体推出创新的micro SMD及LLP封装技术之后，多年来一直在封装技术市场上稳居领导地位。目前在全球生产的CSP封装之中，约有1/7属于美国国家半导体的产品。美国国家半导体设于新加坡的全球分销中心负责将集成电路直接运送给世界各地的4000多个厂商客户。另外约有9万多个厂商客户会通过美国国家半导体的全球分销网采购该公司的芯片产品。

　　美国国家半导体早在2000年便开始广泛推行减少用铅计划，以便逐步减少生产含铅的半导体封装，直至该公司的全部芯片产品都采用不含铅封装。2004年4月，美国国家半导体率先宣布，计划为全线芯片产品提供不含铅的封装。目前，该公司的1.5万款模拟及混合信号集成电路产品都有不含铅的封装产品。06年6月底，除已获豁免者，美国国家半导体出售的芯片产品将会全部采用不含铅封装，生产工序将完全符合欧洲议会所颁布有关限制使用危险物料的规定。美国国家半导体除了停用铅之外，也确保所采用的铸模化合物及有机基底内含的防燃剂不含任何溴及锑等卤化合物。

　　长期以来，铜引线框架封装的电镀层都采用铅作为电镀料。此外，Micro SMD、PBGA及FBGA等阵列插入式封装一向以铅作为焊球的焊料。美国国家半导体的引线框架封装已不再用铅作为电镀料，而改用冰铜锡。Micro SMD封装也不再用铅作为焊球的焊料，而改用锡银铜合金；PBGA及FBGA 封装则改用锡银合金。这个目光远大的计划全面实行之后，预计美国国家半导体每年可以节省约5吨铅。

　　美国国家半导推行这个计划，希望为业界起带头作用，鼓励同业生产更环保的电子零件，使物料可以轻易循环再用，以便保护环境。欧盟《报废电子电气设备指令》（WEEE）和《关于在电子电气设备中禁止使用某些有害物质指令》（RoHS）对含铅标准等进行了细致规定。从今年8月13日开始，出口欧盟国家的报废的电子电气产品回收费将由制造商承担，且销售新产品不能将相关成本单独地附加给消费者。而从明年7月1日开始，在欧盟市场销售的电子和电气设备不能含有铅等6种有害物质。