Arques的双线性稳压器符合DDR-SDRAM的内核电压规范
2003-12-11 15:51:16
来源：国际电子商情
Arques Technology推出AQ9105双线性稳压器，该产品的设计符合JEDEC JESD79C定义的DDR-SDRAM VDDQ内存核心电压和VTT终端电压规范。
AQ9105可由3.3V输入同时产生纯净的VDDQ和VTT电压，符合SSTL DDR规范。VDDQ输出可提供高达5A的电流，而VTT则可提供或消耗±3A的电流。通过两个连接在ADJ/SD引脚上的外部电阻，VDDQ电压可在1.8V到2.6V之间设定，而VTT则自动调整为VDDQ的二分之一，此外，还可以通过将ADJ/SD接脚的电压升高到VIN来实现关闭功能。
由于独特的电路设计，VDDQ电流为5A时，漏失电压仅为500mV，静态电流也低于5mA。AQ9105采用了5引脚TO-263或TO-252封装，对DDR的动态负载具有快速瞬时响应能力，跨线、过载和过热调节度低于2%，并内置反馈限流功能，以及150℃热关断电路，为元件提供短路保护，且集成MOSFET于元件中，不需外加电感，帮助使用者节省外部零件成本，缩小系统尺寸。
AQ9105可由3.3V输入同时产生纯净的VDDQ和VTT电压，符合SSTL DDR规范。VDDQ输出可提供高达5A的电流，而VTT则可提供或消耗±3A的电流。通过两个连接在ADJ/SD引脚上的外部电阻，VDDQ电压可在1.8V到2.6V之间设定，而VTT则自动调整为VDDQ的二分之一，此外，还可以通过将ADJ/SD接脚的电压升高到VIN来实现关闭功能。
由于独特的电路设计，VDDQ电流为5A时，漏失电压仅为500mV，静态电流也低于5mA。AQ9105采用了5引脚TO-263或TO-252封装，对DDR的动态负载具有快速瞬时响应能力，跨线、过载和过热调节度低于2%，并内置反馈限流功能，以及150℃热关断电路，为元件提供短路保护，且集成MOSFET于元件中，不需外加电感，帮助使用者节省外部零件成本，缩小系统尺寸。
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