安森美的MOSFET采用TMOS7HV工艺，适用于电源应用
2004-04-21 08:47:17
来源：国际电子商情
安森美的MOSFET采用TMOS7HV工艺，适用于电源应用
安森美半导体(ON Semiconductor)公司推出系列采用高电压MOSFET简化的电源设计方案。
NTD4N60、NTP6N60及NTP10N60的额定电流为10A，10V电压下RDS(导通)仅0.75欧姆，该产品采用该公司的TMOS7HV工艺，栅极电荷低，可降低驱动的损耗，较传统工艺效率高，额定雪崩能量适用于电源应用。
MOSFET工作电压达600V，适用于开关电源、PWM电机控制、转换器、桥电路等应用，该公司提供ON Power Designer设计工具，可进一步辅助电源设计。
该设计软件可一次通过系统完整的电源设计，支持输入电压在85V至260V之间，适用于计算机运行及待机电源、LCD监视器、电池充电器、墙上适配器、家用电器等电源解决方案。
安森美半导体(ON Semiconductor)公司推出系列采用高电压MOSFET简化的电源设计方案。
NTD4N60、NTP6N60及NTP10N60的额定电流为10A，10V电压下RDS(导通)仅0.75欧姆，该产品采用该公司的TMOS7HV工艺，栅极电荷低，可降低驱动的损耗，较传统工艺效率高，额定雪崩能量适用于电源应用。
MOSFET工作电压达600V，适用于开关电源、PWM电机控制、转换器、桥电路等应用，该公司提供ON Power Designer设计工具，可进一步辅助电源设计。
该设计软件可一次通过系统完整的电源设计，支持输入电压在85V至260V之间，适用于计算机运行及待机电源、LCD监视器、电池充电器、墙上适配器、家用电器等电源解决方案。
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