安森美的MOSFET采用TMOS7HV工艺,适用于电源应用
2004-04-21 08:47:17
来源:国际电子商情
安森美的MOSFET采用TMOS7HV工艺,适用于电源应用
安森美半导体(ON Semiconductor)公司推出系列采用高电压MOSFET简化的电源设计方案。
NTD4N60、NTP6N60及NTP10N60的额定电流为10A,10V电压下RDS(导通)仅0.75欧姆,该产品采用该公司的TMOS7HV工艺,栅极电荷低,可降低驱动的损耗,较传统工艺效率高,额定雪崩能量适用于电源应用。
MOSFET工作电压达600V,适用于开关电源、PWM电机控制、转换器、桥电路等应用,该公司提供ON Power Designer设计工具,可进一步辅助电源设计。
该设计软件可一次通过系统完整的电源设计,支持输入电压在85V至260V之间,适用于计算机运行及待机电源、LCD监视器、电池充电器、墙上适配器、家用电器等电源解决方案。
安森美半导体(ON Semiconductor)公司推出系列采用高电压MOSFET简化的电源设计方案。
NTD4N60、NTP6N60及NTP10N60的额定电流为10A,10V电压下RDS(导通)仅0.75欧姆,该产品采用该公司的TMOS7HV工艺,栅极电荷低,可降低驱动的损耗,较传统工艺效率高,额定雪崩能量适用于电源应用。
MOSFET工作电压达600V,适用于开关电源、PWM电机控制、转换器、桥电路等应用,该公司提供ON Power Designer设计工具,可进一步辅助电源设计。
该设计软件可一次通过系统完整的电源设计,支持输入电压在85V至260V之间,适用于计算机运行及待机电源、LCD监视器、电池充电器、墙上适配器、家用电器等电源解决方案。
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