瑞萨推出具有两个功率MOSFET的微型DC-DC变换器
2004-11-09 08:49:58
来源：电子工程专辑
瑞萨科技公司宣布推出具有两个功率MOSFET的HAT2210WP。该产品可用作笔记本电脑、通信设备及类似产品的DC-DC变换器。目前该公司已从日本发售这款产品的样品。
HAT2210WP采用瑞萨公司代码为WPAK的高热辐射封装，与目前SOP-8封装的HAT2210R相比，热阻减小了一半，可以控制输出电流也提高了大约50%，因此可以减少具有高电流处理能力的DC-DC变换器所需要的功率MOSFET的数目。而且，HAT2210WP需要的安装面积与业界标准的SOP-8封装一样，是5.3×6.1mm；但厚度大约仅是它的一半，为0.8mm (最大)。
HAT2210WP安装在印刷电路板(40×40×1.6mm玻璃环氧板单个功率MOSFET操作)上时的热阻，从瑞萨科技目前SOP-8封装产品的110℃/W，下降了到55℃/W。因此，可以控制的输出电流提高了50%多，从SOP-8产品的3A，提高到5A。当ASIC和其它芯片的驱动电流超过3A，进入4A－5A范围时，单个HAT2210WP就可以控制5A的输出电流，因此，HAT2210WP使得DC-DC变换器可以做得更小。
而且，由于安装了高边和低边功率MOSFET，使用分裂漏结构，以及瑞萨科技最新的0.35μm工艺的第8代功率MOSFET，使高边MOSFET具有高开关速度、低边MOSFET具有低导通电阻，从而实现很高的效率，满足DC-DC变换器低压输出的需要。
在低边MOSFET中有一个肖特基势垒二极管，减小了MOSFET和肖特基势垒二极管之间的接线电感。在DC-DC变换器死区时间过程中，可以加速肖特基势垒二极管的换向，从而消除效率恶化，并减小噪声。
瑞萨的HAT2210WP产品的样品单价为80日圆。
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