1引言
目前，随着光纤同轴电缆混合（HFC）系统、多媒体、有线宽带技术的高速发展，需要大量的分支/分配器、功率器、隔直器、宽带传输线变压器、EMI滤波器等射频宽带器件，这些器件频带的扩展也使得高频高磁导率的NiZn系铁氧体材料得到快速的发展。此类材料在配方上一般都含有较多的ZnO，因此虽然磁导率有所提高，但居里温度及磁导率的温度稳定性都有较大的下降，从而大大限制了该材料的应用领域。因此，开发具有高磁导率、高居里温度的NiZn系列铁氧体材料具有十分重要的意义。
2理论依据
目前，对高磁导率的NiZn铁氧体理论研究日趋完善。材料的初始磁导率为：

其中MS为饱和磁化强度、Dm为平均晶粒尺寸、k为磁晶各向异性常数、λ为磁滞伸缩系数、σ为应力。因此：开发高磁导率的NiZn系铁氧体材料应考虑以下几个方面：
2.1原材料
原材料的好坏，对能否制备出优良高磁导率的材料起到相当关键的作用。而原材料主要考虑它的化学特性和物理特性，化学特性主要是原材料中含有的有害杂质，物理特性主要考虑颗粒度、团聚粒度和合适的颗度分布。我们在实验中均采用了高纯度的Fe2O3、ZnO、CuO（纯度都大于99%）、NiO（纯度大于76%）。
2.2工艺条件
关键工艺主配方、预烧、砂磨、烧结。
主配方是制备高磁导率铁氧体的基础。一般要满足K1→0、λS→0。为开发此类材料，首先考虑将适量的CuO放入主配方中，以达到降低烧结温度和提高材料致密度的目的，Cu与NiCuZn铁氧体中的其它组分在烧结过程中形成低共熔物质，导致在较低温度下出现液相，通过液相传质和粘结作用，促进烧结，第二，CuFe2O4和形成固溶体，在烧结过程中CuO会入进晶格形成NiCuZn尖晶石固溶体。其烧结机制为过渡液相烧结，有利于获得电磁与机械性能优良的材料。固溶体主晶相中的Cu2+一般进入八面体位，由于受到正八面体晶场作用而使得Cu2+周围点阵发生变化，从而导致整个晶格产生畸变。晶格畸变同样可以促进烧结，但是，也不排除Cu2+同时置换Fe3+情况：

氧空位的存在同样有利于离子扩散，加速晶格长大，促进烧结，提高致密度。所以CuO的加入大大改善了NiCuZn铁氧体的烧结性能，使烧结温度显著降低。但是，加入过多的CuO时，由于Cu2+的固溶而引起的晶格弹性能增大，Cu2+难以继续固溶进晶格，而是残留在晶界与其它组份共同形成玻璃相。晶界中的玻璃相不可能因为CuO的不断增加而继续降低烧结温度。再选用FeO3略负分值配方，以获得较稳定的Q值和L值。考虑到居里温度为铁氧体材料的本征特性参数，主要受材料的主配方和晶体结构影响。所以，我们在实验中不能在配方上使用过量ZnO，以获得较高的居里温度和磁导率温度稳定性。因此ZnO为32.5mol%左右、NiO在12.5mol%左右，余下则为CuO。
此外，预烧和砂磨也很重要。而这二者是相关联的，预烧温度的高低与砂磨的效果是相匹配的（砂磨机内的钢球、水、料按一定比例）；预烧温度高，则砂磨后料径要大；预烧温度低，则砂磨后料径要小。一般预烧温度在950℃左右。保温时间为二小时；砂磨时间也在二小时左右。
2.3烧结
烧结过程对铁氧体的性能具有决定意义；NiZn铁氧体的烧结要求虽然不像MnZn铁氧体那样苛刻，但也有一定的烧结的曲线，因为烧结过程影响到固相反应的程度及最后的组成、密度、晶粒大小等等。众所周知，烧结过程包括升温、保温、降温三个阶段。在升温过程中，要控制一定的升温速度。
250℃-600℃（粘合剂挥发温区）这一温段升温不宜太快。以防止因水分及粘合剂集中挥发而导致坯件热裂与变形。
在温度上升至800℃时，应该保温一定的时间，以获得良好的致密程度。温度再往上升的过程中，升温速率可慢些，因为这一段影响着晶粒的大小、均匀度、气孔的多少与分布等，烧结温度要合适。尽量避免Zn的挥发（在实验室，烧结时可以在磁心周围放少许Zn的原材料，这样可以尽量避免Zn的挥发）。
再者，在保温的过程中，主要是保温温度与保温时间，保温时间的延长可促使固相反应完全，但时间过长的话，会导致铁氧体的分解，产生气泡与另相，反而使性能下降。
在降温时，该过程的控制对产品的性能也有着重大的影响。冷却速度不宜过快。若过快，如出炉温度过高，会因热胀冷缩导致产品冷开裂，或产生较大的内应力，恶化产品性能。
3实验方法
根据上述理论依据选择纯度高、有害杂质少、活性好的四种原材料混合，预烧、砂磨、造粒，进行严格的工