（续上期）
2.2.2 反射损耗
由(24)式
                           (31)
式中：对于高阻抗电场
                     (32)
   对于低阻抗磁场
                         (33)
   对于远场
k=1，r≥λ/2π                                 (34)
代入(31)式可得：
对于高阻抗电场
                        (35)
对于低阻抗磁场
                          (36)
对于远场
                          (37)
对于 K>> 1(29)式可简化为：
RdB=20Log10(K/4)                            (38)
将(35)、(36)、(37)代入(38)式可得：
对于高阻抗电场
RdB≈141.7-10Log10(μr  f 3MHz r2m/σr)               (39)
对于低阻抗磁场
RdB≈74.6-10Log10(μr / fMHz σr r2m)                (40)
对于远场
RdB≈108.1-10Log10(μr fMHzσr)                  (41)
式中：RdB是源到屏蔽的距离，由于远场rm >>   λ/2π≈47.8 / fMHz与rm无关，公式均采用以厘米为单位的米制。
图2.6(a)、(b)、(c)分别表示高阻抗电场、低阻抗磁场、远场与频率的关系。
2.2.3 吸收损耗
吸收损耗实际上是由于金属中的电阻损耗造成的，随后伴生的损耗转化为发热热量。
将(28)式展开可得：
        
对于金属
                      (42)
图2.7表示常用屏蔽材料的吸收损耗与频率的关系。注意吸收损耗与波阻抗无关。
2.2.4 再反射损耗
将(30)式展开可得：
  (43)
对于K>> 1 (43)式可简化为：
                       (44)
或
                     (45)
2.2.5 低频磁屏蔽效能
在总屏蔽效能公式(27)中，当t/δ，K，2γt<< 1时，对工作在≤低频的磁场材料，式(27)可显著简化为：
            (46)
对于4K，2γt >>  8kγt则有
SEdB=20Log10(1+γt/2K)                          (47)
式中：
    
代入展开可得：
                             (48)
对于极低频和直流磁场(48)式是确定磁屏蔽效能的一个有效而简单的表达式；同样对于具有确定屏蔽厚度t和半径r的线对、同轴线或线束的屏蔽层也有效；若使用导线或线束屏蔽层，必须确定用于编织屏蔽层的有效相对磁导率，因为此屏蔽层的大部分可能是空气或其它一些材料。
现举镀锡铜包钢丝编织层为例说明：镀锡铜包钢丝编织层由3%锡、37%铜、60%钢组成；编织层按体积计算总材料体积占用80%、余20%为空气；平均厚度t=0.020吋、当编织层套在线束上时具有0.50吋的平均半径，试确定此编织层的低频磁屏蔽效能。
由于：
μr=(MdeMMde μMM+NMMde×1)+Ade×1              (49)               
因为MdeMMde μMM>>  NMMde和MdeMMde μMM>>  Ade
μr≈MdeMMde μMM                            (50)
式中：Mde按体积计算的总材料等效值；MMde按体积计算的磁性材料等效值。
μMM磁性材料的磁导率=1000；NMMde按体积计算的非磁性材料等效值。
Ade按体积计算的空气等效值。
代入(50)式可得：μr≈0.80×0.60×1000=480
所以低频磁屏蔽效能为：

2.2.6 屏蔽效能曲线
屏蔽效能可作为频率的函数绘成曲线图，图中的参数是：源到屏蔽体的距离；场的类型（电场、磁场或平面波）；屏蔽金属及其性能；以及金属厚度。对于源到屏蔽金属的距离为1米的情况，由铜金属推导出的图2.8可用于任何良导体系列（例如铝、黄铜、金）而性能只有几分贝的差别。同时应注意到：对电场的屏蔽效能处处等于或优于平面波，而对平面波的屏蔽效能则处处等于或优于磁场；电场与磁场的性能曲线，在对应于1米距离即>> λ/2π的48兆赫拐角频率处将逼近平面波性能曲线；对应于屏蔽效能随频率增加而增加的电场和平面波的区域是吸收损耗开始的区域，此区域发生在金属厚度约为一个趋肤深度(t≈δ)的地方。
由图2.8还可以看到，厚度约40微米的家用铝箔的屏蔽效能，在整个频谱上对于电场和平面波至少有130dB。而铝箔对50与60赫工频的磁场则是透明的(SEdB=0dB)，因此，相对磁导率低的金属薄片不能用作低频磁屏蔽。为了获得对低频磁场的良好屏蔽，必须选择至少是一个或一个以上趋肤深度的金属厚度，如图2.8所示。例如在工频，对于1米距离而言，要获得约40dB的屏蔽效能，铜或铝必须有约1厘米厚！为避免如此厚重的结构，对磁场屏蔽应使用高导磁率系列的金属。
图2.9表示在源到金属距离为1米时高磁导率材料的屏蔽效能。应注意，在工频，对磁场而言，40dB屏蔽效果现在可由约0.5毫米厚的金属获得。而且，磁场屏蔽效能在极低的频率下变平，一旦降到直流就变成常数。
2.3 屏蔽性能的恶化
前述的讨论均假设屏蔽材料是均质的，且平面尺寸很大，从而既无泄漏也不产生边缘效应。但屏蔽体通过狭槽、开关和输入/输出(I/O)电缆的开口会产生泄漏、谐振腔效应和边界不连续性对场分布的影响将使屏蔽性能受损。于是可从概念上重新定义由方程(27)表示的屏蔽效能，用以计算非理想的屏蔽性能：
SE'dB=AdB+RdB+BdB-泄漏效应-驻波效应          (51)
（接下期）