Ramtron展示1Mb、3V非易失性铁电存储器
2004-11-23 08:47:53
来源：国际电子商情
在德国慕尼黑举办的Electronica 2004展会上，Ramtron International公司展示了新款1Mb、3V非易失性铁电存储器(FRAM)——FM20L08。据称，这是Ramtron公司目前最高密度的FRAM存储产品，可提供无限次读写使用。该产品是为替代标准异步SRAM设计的，可用于机顶盒、汽车通信及工业设备等电源电压变化，甚至中断的数据采集和存储系统。
此款FRAM存储器中写入的数据是非易失性的，且不存在其它传统非易失性存储技术常见的延迟问题。FRAM可提供与其它非易失性存储技术相当的数据保存能力，与电池供电的SRAM相比，具有可靠性、功能和系统设计复杂度方面的优势。
此外，相对于EEPROM等其它类型的非易失性存储器，FRAM还具有快速写入和无限次写入等特点。
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