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本文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计，研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。
通常情况下，MEMS产品可以用与半导体产品相同或者类似的方法来制作，半导体微细加工中的光刻、曝光、刻蚀、清洗等加工工艺同样适用于MEMS产品制造。MEMS产品可以在Fabless或者系统整机生产厂家中设计好后，委托给集成电路Foundry工厂来制作。但加工工艺和产品测试方法等又稍不同于IC制造，从而形成了半导体微细加工的一个新领域。
