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本文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计，研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。

刻蚀去静电等离子体残存电荷良率

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