导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比,是二极管的重要参数。 理想的PN结在正向导通后应该是没有电阻的,而实际的PN结比如二极管受材料、工艺的影响,在导通时实际上两端还有一个电阻,这个电阻一般在几欧到几十欧之间,被称为导通电阻。 导通电阻可由二极管;两端电压和导通电流求得。
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本文设计了一种低欧姆接触电阻率的半绝缘GaAs光导开关,开关由0.6mm 厚的半绝缘GaAs材料制作,电极间隙为10mm,开关电极面制作高反膜,背面制作增透膜,使用波长1064nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25ns的激光脉冲触发光导开关,在直流电压6kV时,通过计算得到光导开关的导通电阻仅为0.61Ω。
在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。
日前,Vishay Intertechnology宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装,将10V下的导通电阻扩展到30mΩ~600mΩ,将最高电流等级扩大为6A~105A。
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)宣布推出汽车级COOLiRFET®MOSFET系列,为重载应用提供基准导通电阻(Rds(on))。
Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关,器件可在1.5V~5.5V电压范围内工作,具有低至20m?的导通电阻、低静态电流,导通电压上升斜率为3ms
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列,可为各种高效工业应用提供基准导通电阻(Rds(on)),这些工业应用包括110V-120V交流电压线性调节器和110V-120V交流电压电源,以及直流-交流逆变器,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等。