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本文设计了一种低欧姆接触电阻率的半绝缘GaAs光导开关，开关由0.6mm 厚的半绝缘GaAs材料制作，电极间隙为10mm，开关电极面制作高反膜，背面制作增透膜，使用波长1064nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25ns的激光脉冲触发光导开关，在直流电压6kV时，通过计算得到光导开关的导通电阻仅为0.61Ω。
射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前推出一种先进的砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)控制电路，专门用于优化飞思卡尔AirfastDoherty放大器的性能。
科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W，频率为 3.1至3.5GHz 之间，与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70%）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。
据了解，日前Spire集团的全资子公司SpireSemiconductor研制出了世界上效率最高的三结砷化镓(GaAs)太阳能电池，在406倍太阳辐射聚光(406suns)、大气光学质量1.5(AM1.5)、25℃的测试条件下，这片0.97cm2电池的效率达到了42.3%(500倍聚光条件下效率为42.2%)。
IXYS的GaAs二极管可提高升压转换器和PFC电路的效率
