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文章介绍采用晶片级封装(WLP)技术制造高性能无源元件之片上电感器和片上天线的工艺过程:使用电镀方法电镀出较厚的铜(Cu)膜,在膜上进行二次布线(以减小电阻值),并用较厚的树脂薄膜把电感器与硅基片进行隔离,从而组成无源元件。这种元件性能优良,如片上电感器在F=2GHz时,L=5nH,Q≈30;而且,Si基片对片上电感器性能的影响仅为传统电感器的十分之一。为了增加这种电感器的电感值L,还制作了在晶片