碳化硅器件是以碳化硅(SiC)为主要材料制作的半导体器件,具有多种类型和广泛的应用。以下是关于碳化硅器件的详细介绍: 碳化硅器件的类型: 碳化硅二极管:包括肖特基二极管(SBD)等。肖特基二极管具有正向压降低、反向恢复时间极短的特点,这使得它在高频电路和快速开关电路中具有显著优势,能够降低电路的能量损耗,提高效率。例如在新能源汽车的车载充电器、光伏逆变器等设备的整流环节,碳化硅肖特基二极管可以实现高效的电能转换。 碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET):是一种电压控制型的功率器件。与传统的硅基场效应
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功率半导体以其高效的能源转换率,被广泛应用于PC和家电产品的电源系统中,同样也是新能源领域的光伏风能,甚至是纯电动汽车、混合动力车和铁路车辆电力系统的必备元件。
随着技术进步,近年来SiC衬底的直径做的越来越大,器件质量越来越高,生产SiC 产品的厂商越来越多,从而使制约SiC发展的SiC衬底供应情况大为改观。特别是由于SiC二极管厂商的增加和SiC产量的增长,使SiC器件的价格不断下降。与此同时,SiC二极管的容量不断增大和SiC晶体管的实际应用,带动了SiC器件性能的不断改善。SiC器件己从高价时代的航天、航空、雷达、核能开发等领域,扩展至石油和地热