电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。
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磁共振耦合无线电能传输技术作为一种新的无线电能传输方式引起了国内外的高度关注，而目前相关的电源、电力电子器件等设备不易满足其高频需求，磁共振耦合无线电能传输的低频化已经成为发展的趋势。
富士公司一直致力于电力电子(PE)技术的研发，以实现灵活自如的电气操控，对世界的能源领域做出贡献。电力电子器件以电路技术，控制系统，功率半导体作为基础技术，正向各个不同领域推进发展。在变频器中，首先要达到功能安全标准，利用了EMC分析技术，高速同步通信技术和水冷方法等，对于UPS，配置了镍氢(N
作为节能利器的变频器产品，通过采用更先进的电力电子器件得到优化，从而也帮助用户在实际应用中将节能技术发挥到极致。
电力电子器件是变频器的关键所在之一，也就是说电力电子器件的好坏决定着变频器的优劣。在整个发展的过程中，这两者之间的关系是护理共赢，相互推进的一种状态，也就是说，电力电子器件促进了变频器的发展，变频器又促进了电力电子器件的改进。
可再生能源发电中应用到的多种电力电子技术，其中主要包括逆变器、太阳能充电器、矩阵式频率变换器、有源滤波器等。无论是光伏电池板、风力发电机还是其他可再生能源，甚至燃料电池都需要通过电力电子器件实现变流，才能进入入电网。
随着20世纪90年代初电力电子器件的发展，目前国内中频电机组正呈被淘汰的格局，静止变频设备开始大量使用，特别是在音频、超音频领域，表现更为明显。80年代、90年代，国内静止变频基本上采用晶闸管作为功率开关元件，工艺水平基本上以8KC为上限。
变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后，电力电子器件经历了SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电感应晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)的发展过程，器件的更新促
近年来，随着新的电力电子器件的应用使得高压直流电源出现了频率高，效率高，功率密度高，可靠性高等新特性。高频化可以提高电源性能，减少变压器的体积和纹波系数，但也带来了新的技术问题。过高的频率会导致开关管开断频繁，开关损耗增大，影响开关管寿命并使整机效率下降。
