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普思电子近日推出G.fast多功能隔离变压器新系列产品——BX4500LNL 和BX4500LNLT变压器，这款产品可以与美高森美的线路驱动器Le87282相匹配，并且可以与博通的G.fast传输芯片组BCM652xx DSP和BCM659xx AFE搭配使用。消费者住宅提供工作带宽为2-100 MHz，目标速度高达1 Gbps。
美高森美公司(Microsemi Corporation)为其抗辐射(radiation-hardened)解决方案产品组合增添两款用于航天、商业航空和国防应用的全新超低压降(Ultra-low dropout， ULDO)线性负载点(POL)调节器。防止通常出现在航空和航天应用中的重离子引起的软错误，新型调节器还可以与公司的耐辐射(radiation-tolerant) SoC和FPGA解决方案
美高森美公司(MicrosemiCorporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布提供基于SmartFusion®可定制系统级芯片(customizable system-on-chip，cSoC)的工业和医疗应用LCD显示器参考设计。
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布利用英特尔公司(INTC)业界领先的onshore代工技术和使用英特尔革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶体管技术，开发先进的高性能数字集成电路(IC)和系统级芯片(SoC)解决方案。
美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through， NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。
美高森美公司宣布扩展其RF功率产品线，推出了DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗(ISM) 领域的RF发生器中使用，例如用于半导体、LCD和太阳能电池制造的等离子生成，以及工作频率高达30 MHz 的CO2激光器。
美高森美公司推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8™技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。
