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摘要 –当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时，体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。
Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1，这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的产品。
凌力尔特公司推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源 “或”，且对电源电压的干扰最小。
Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。
采用多个肖特基并联分担负载电流，有效地抑制整流二极管形成的EMI电平。3产品平面转化时EMC设计技术影响产品EMC的方面很多。除了在线路上进行优化设计外，如何在基片有限的空间内合理的安排元器件的位置以及导带的布线，也将直接影响到电路中各元器件自身的抗干扰性和产品的电磁兼容性EMC指标。
凌特推出集成肖特基二极管的高效白光LED驱动器
Vishay肖特基整流器提供0.375V正向压降
安森美推出250伏硅肖特基整流器
凌特推出内置肖特基二极管的负输出DC/DC转换器
