非晶硅是一种重要的半导体材料。结构特点 非晶硅的原子排列呈现短程有序而长程无序的状态，与晶体硅具有完整的金刚石晶格结构不同，它不存在规则的晶体结构，内部有许多 “悬键”，即未与周围硅原子成键的电子. 制备方法 辉光放电法：利用反应气体在等离子体中发生分解，在衬底上淀积成薄膜，是在等离子体帮助下进行的化学气相淀积。根据在真空室内施加电场的方式，可分为直流电、高频法、微波法及附加磁场的辉光放电法等. 真空蒸发法：在真空环境下，将硅源加热蒸发，使其原子或分子沉积在衬底上形成非晶硅薄膜. 溅射法：用高能粒子轰击
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