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通过直观的SmartBridge应用，商用智能手机和计算机(Android和iOS系统)可成为工业传感器便捷的操作和显示设备。它们可在工业传感器调试和维修过程中使用，无需耗时安装或干预控制软件。
2012年4月23日，英特尔宣布采用3D三栅极晶体管设计，最小线宽为22纳米的Ivy Bridge微处理器量产成功，并于4月29日开始全球销售。
4月10消息，据国外媒体报道，据传言称英特尔Ivy Bridge处理器将在4月23日推出。但是，并非英特尔所有的Ivy Bridge系列处理器芯片都在这一天推出。
大尺寸液晶产品，受全球经济景气低迷影响需求疲惫，2012年景气复苏仍应保守应对;而笔电产业受惠Ultrabook、Intel新作业平台IvyBridge及明年下半年的Windows8带动，出货将恢复成长。
本文对现有的两种磁元件集成方法（解耦型和耦合型）及各自特点做了简要介绍。针对以Buck+Half-Bridge两级电路为拓扑的VRM，鉴于其后级电路采取固定占空比的PWM控制，经分析得出解耦型磁元件集成方案比非解耦型磁元件集成方案更为适合。在确定方案之后，再结合VRM低压大电流输出的特点，提出一种适用的磁元件集成结构。借助Ansoft/Maxwell 2D对所设计的集成磁元件进行了损耗分析，并通过
奔腾、赛扬、迅驰、酷睿……作为世界最大的芯片制造商，英特尔每一次推出新的处理器都会引发电脑及周边产品的升级换代。这一次，Sandy Bridge平台也不例外。今年1月6日，英特尔发布采用Sandy Bridge平台(简称SNB平台)架构的第二代智能英特尔酷睿处理器。半年多后，SNB平台已经成为个人电脑的主流配置。
与市场上其他更大尺寸的桥式整流器相比，PowerBridge器件先进的导热结构使热量能更有效地散发出去。因此，PowerBridge整流器能够提供与更大封装器件相同的额定功率，而采用的散热片却更小。
日前，Vishay Intertechnology， Inc今天宣布，推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的额定电流高达30A~45A，最大峰值反向额定电压为600V~1000V，外壳绝缘强度高达1500V。
