大比特商务网 |资讯中心 |技术论坛 |解决方案 登录 注册 |数字刊 |招聘/求职
广告
广告
您的位置: 电子变压器与电感网 >技术与应用>

反激变压器绕组屏蔽共模干扰模型建立与分析

2018-01-12 11:30:37 来源:电子变压器与电感网

建立绕组屏蔽的共模耦合模型;讨论了绕组屏蔽在 EMI 改善上的优势;反激电源变压器的寄生电容的计算以及仿真;提出有效的绕组屏蔽的设计来降低共模噪声;并进行实验性验证。

随着技术的发展以及应用的多样化,促使电源提高功率密度减小体积,导致了电源工作频率的上升,半导体器件的开关速度提高。而根据傅立叶变化可以把这些功率半导体的开关信号分解成基波与高次的谐波,由于开关频率的提高使得处于高次谐波的能量的增加,这就加剧了共模耦合。为了满足国际上的 CISPR16 和国内的 GB3907-83 EMI[1] 标准,通常会在变压器的一二次侧间增加屏蔽来阻隔共模干扰的耦合路径[2]
反激式的电源中,一次侧的 MOSFET 和二次侧的 DIODE 是主要的两个开关器件,在导通关断瞬间会生成较大 dv/dt 和 di/dt,这些能量的高次谐波会通过共模耦合与串扰的形式传播到电网中形成干扰。现有的文献主要是针对利用铜箔屏蔽的变压器耦合模型建立与分析,对于企业中大量应用的低成本低损耗的解决方案:绕组屏蔽法却相提甚少。
本文的主要研究对象是对反激电源中屏蔽绕组在共模干扰模型建立计算与验证,为反激电源变压器的绕组屏蔽在设计上提供理论依据。

\




详细请查看附件



本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

  • 赞一个(
    0
    )
  • 踩一下(
    0
    )
分享到:

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“大比特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得大比特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
Copyright Big-Bit © 1999-2017 All Right Reserved 大比特资讯公司 版权所有      未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任