德州仪器(TI)日前推出将DC/DC开关模式控制器与线性压降调节器(LDO)进行结合的新型集成电路(IC)，如今，双倍数据率(DDR)以及DDR II内存系统的设计人员可采用该产品集成到他们的设计中以提高电源效率。在诸如笔记本与台式电脑、显卡以及游戏机等应用中，该款高度集成的器件可大幅减少支持所有DDR系统电源管理所需的外部组件数。 TI的新型TPS51116集成了可驱动VDDQ的同步电流模式DC/DC控制器，还集成了一个可驱动VTT的3A线性低压降(LDO)调节器，以及一个缓冲参照VTTREF。它是一套完整的DDR电源解决方案，与DDR与DDR II JEDEC规范完全兼容，通过包括用于转换开关的电力系列，仅添加7个外部电阻与电容即可实现该解决方案，而目前的同类竞争系统则要采用18个乃至更多分离式电源管理组件。TPS51116具有优秀的轻负载效率，在10ma时可实现超过85%的VDDQ效率。高性能LDO可吸收或提供3A峰值电流，同时只需要2×10μF的陶瓷输出电容器。 内置于TPS51116的转换开关采用称作D-CAP模式的控制技术实现100纳秒(ns)的负载变动幅度瞬态响应，并减少外部输出电容器的数量。D-CAP模式还消除了采用外部回路补偿的麻烦；但是，如果要求更多控制的话，可以改变TPS51116的回路补偿，以支持任何类型的输出电容器(其中包括陶瓷电容器)。集成的LDO要求2×10μF的陶瓷输出电容器，可通过减小输入电压来大幅降低系统功耗。VDDQ电压电平能够支持许多设计类型，其可调节电压能够为DDR提供2.5V的固定电压，或为DDR II提供1.8V的固定电压。 除了具有高性能之外，TPS51116还可管理睡眠状态控制功能以提高DDR内存系统的可靠性。该集成特性可内部进行控制功能设计，而非花费更多的时间进行外部设计，这就相应加快了产品的上市时间。此外，TPS51116可确保VTT低于VDDQ，这就进一步提高了DDR的可靠性。 TPS51116的关键技术特性包括： 1.宽泛的输入电压范围：3V至28V； 2.D-CAP模式，可实现100ns的负载变动幅度响应； 3.VTT&VTTREF的精度范围为±20mV； 4.睡眠模式操作，并带有输出放电的可选择软关闭； 5.就 VTT 而言仅要求一个2×10μF陶瓷输出电容器； 6.过热关断、电源状态良好指示、过压保护以及欠压保护等功能； 7.符合DDR以及DDR II JEDEC规范。 除了高度集成的TPS51116之外，TI还推出了3A吸收/提供跟踪终结调节器，其采用10引脚 MSOP封装，是专门为小空间为首要设计任务的低成本DDR与DDR II系统而精心设计的。TPS51100包括许多与TPS51116器件的LDO部分相同的特性，其中包括2×10uF陶瓷输出电容器及远程传感功能。可降低3A终结调节器的输入，这样有助于减小系统的总功耗。 TPS51116 DDR电源IC已投入量产，目前可通过TI及其授权分销商进行订购。该器件采用20引脚PowerPAD HTSSOP封装。批量为千件时，建议零售单价为1.20美元。TPS51100低成本 DDR电源IC目前已开始供货，批量为千件时的单价为0.80美元(价格仅供参考)。通过访问power.ti.com可获得评估块、应用手册以及TI的新型VIP电源管理选择工具。