一种宽频高μr”的Ni-Zn-Co铁氧体膜制作
1 引言
蜂窝电话机和个人手持电脑的工作/时钟频率已经超过2GHz，因此，它们所用的印制电路板(PCB)在GHz频率时的电磁噪声干扰(EMI)则是一个严重的问题，在GHz频率时，如果电路中的半导体元件和PCB上的线路成了天线，而电路被看作是分布参数系统，不是参数集中系统，则它们都将会辐射电磁噪声。如果把磁导率虚部(μ”)高且具有大电阻的磁性薄膜直接沉积覆盖于噪声源（如半导体元件和PCB上的线路）上，则对衰减电磁辐射噪声将会很有效。工程师们认为，具有高电阻率的软磁铁氧体薄膜显然是这种用途的优选材料。然而，如果采用传统的铁氧体薄膜制造工艺，如溅射法、脉冲激光沉积、分子束外延等技术，则都需要将基片加热到600℃以上的高温才能结晶成为铁氧体。这些工艺技术显然不适合用来直接将铁氧体膜沉积到PCB上半导体元件面上。而且，与块状铁氧体材料比较，用以上传统制作工艺技术制得的铁氧体膜的饱和磁化强度(Ms)低，矫顽力较高。在高频下，这将导致磁导率下降。在日本，科技人员采用旋转喷镀铁氧体技术，在温度为90℃时的温度下，制成的Ni-Zn-Co铁氧体膜，到1GHz的工作频率时也有高的磁导率。特别是在其中添加了少量的Co，会显著提高复数磁导率μr”，在200MHz时获得μr=120；在300MHz~3GHz时μr”>30。经过实验研究，日本东京工业大学科学家已将这种$铁氧体磁膜用于GHz噪声抑制器，并通过配方中Zn和Co含量的优化，进一步改善了Ni-Zn-Co铁氧体磁膜的磁导率，取得了更好的噪声抑制效果。
2 磁膜配方及制备实验
实验是将需要镀膜的玻璃基片安装在一个旋转台上（见图1所示），将形成磁膜的反应液FeCl+NiCl2+ZnCl2+CoCl2和氧化液NaNo2+CH3ooNH4以喷镀工艺沉积到玻璃基片上。试验中改变反应液中的Zn和Co的浓度，将Ni0.22ZnxCoyFe2.78-x-yO4磁膜中Zn(x)和Co(y)的含量控制在0.24
图1 用水溶性液旋转喷镀Ni-Zn-Co铁氧体膜
详细资料见：http://www.big-bit.com/uploadfile/2014/0821/20140821055509784.pdf
本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)
暂无评论