磁膜厚度对磁性能影响的验证
1 引言
电子设备和电子器件的迅速发展,要求$磁元件进一步提高性能,如提高工作频率和实现小型化。要提高软磁薄膜的性能,不仅要求软磁薄膜具有高的电阻率(ρ) ,还需要有高的饱和磁化强度(Bs)和各向异性场(HK)。目前,FeXN(X为过渡金属)磁膜在数百兆频率范围具有优良的软磁性能,但当把它们应用到GHz频段的磁器件中时,其各向异性场则显得太低。实验表明,纳米晶CoFe基系材料是提高各向异性场性能的优良薄膜材料。但是,CoFe基磁膜的磁致伸缩系数通常都较大,即使是纳米晶结构也是如此。磁性薄膜的软磁性能与磁膜的厚度密切相关。在此,我们仅选择介绍(Co33Fe67)100-x-yBxNy$软磁薄膜的磁性能与磁膜厚度的关系。
2 磁膜的制作与性能检测
a. 磁膜制作
用4”的CoFe合金靶和B片,输入功率450W,在环境压力小于10-7的N2+Ar气氛中按反应射频磁控溅射法制作沉积态Co-Fe-B-N软磁薄膜。其工作压力保持在1毫克。沉积在硅晶片(P型100)上的磁膜厚度在100~300nm以内。为了获得单轴各向异性,在磁膜沉积过程中施加200(oe)的定向磁场。
b. 性能检测
采用电子谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)等仪器分析磁膜的组成成分和微观结构。用磁强计(VSM)测定样品的磁性能。用传统的四点探测法测量电阻率(ρ)。用α-step(Tencor, p-10)测量磁膜的厚度和剩余应力。
详细资料见:http://www.big-bit.com/uploadfile/2014/1103/20141103020432323.pdf
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