QI标准无线充芯片方案如何选型?
目前市场上QI标准无线充芯片方案众多,首先我们先了解普通无线充芯片方案和QI标准无线充芯片方案的区别:
普通无线充芯片方案有称符合QI的方案和不符合两种,符合并不等于可以真正过QI。
不符合QI的有两种:一种是无协议的,但没FOD等检测功能,用一些成本1块以内的MCU完成。另一种是有协议,有FOD等检测功能但不符合QI的,这种发射和接收是配对的属于点对点。一般用于小电流的穿戴产品。
符合QI的方案:这种比较常见,市场最多。ST003、芯唐、凌通的MCU都有这种方案。这种芯片是8位单片机价格在1-2块之间,但ST003涨到了3-4元。
这里面有个概念“符合”也能做FOD、OCP(Over Current Protection)过流保护等功能。
但一般没有DPL(Dynamic PowerLimiting) 动态电源限制功能和ATB(Automatic Temperature Balance)自动温度平衡。
即便其FOD外来物体检测和PMOD增强性寄生金属检测,能放个金属片就能停止充电,但没对各种可能性条件做可靠性测试。所以不一定能过QI实验室测试。
目前做QI测试难点一般在FOD、DPL、和ATB这三项,很多都fail在这上面。
那ST003一定过不了QI认证吗?
不能绝对这样说,但由于它是8位单片机,且指令运行速度较慢。所以对软件工程师比较考验。市场上真正用它过了QI认证的比较少见。或者说如果用8位单片机去过QI需花巨大研发时间成本去验证这个可能性,所以大家都不愿去做,花半年到1年去过一款产品的QI不划算。
能过QI的方案:目前过QI认证的大约有两大阵营(注:都用32位MCU)
国外,Ti、NXP、IDT、东芝、Rohm、ST32位MCU等
国外芯片考虑到价格和QI测试时需要服务,特别是需改软件时其国内代理一般改不了软件。不太建议采用。
国内这些品牌过QI的成功案例都不少。QI认证我们可从软件和硬件两方面来看:
即然这些公司都有过QI,说明最难的软件他们基本都已解决。除非你的功能差异大,对他们软件改动大。
硬件方面:过QI的一些温度、效率、FOD检测这些跟硬件关联比较大。所以国内这些品牌过QI认证是大都搭配TI 驱动和AO或ONSEMI的MOS,但如果PCB LAYOUT变动较大,仍然会影响较大。原因是电源部分电路复杂。
但是考虑整体方案的成本,有些品牌搭配FD2105的驱动和便宜的MOS,这使得效率下降很大,增加了过QI的难度。甚至只能达到符合Qi方案的效果。
伏达的采用MCU+电源芯片,其10W电源芯片集成了L358+2个驱动+4个MOS,使得外围LAYOUT简单,效率和TI驱动+ONsemi MOS一样,达到83-85%。这大大方便了工程师设计和易过QI,市场有较多方案公司采用。
市面上传统无线充电方案采用的是变频架构,无法实现苹果手机的无线快充功能。苹果7.5W快充必须是定频架构才能实现,定频有调相、调压、调占空比三种模式。
调相方式需要一个大电感,是LCL方式,电感牺牲能量,效率低,而且声音比较大;调压的方式可以让占空比恒定为50%,这时对手机的干扰最小。所谓占空比,就是对半桥而言,一个周期中上管开的时间占整个周期的比例。因为是全桥,所以50%占空比意味着是传输能量最大;调占空比的方式,因为占空比不是50%,而是变化的,瞬态比较差。
市面上的最近出现的定频调占空比7.5W方案,也不失为一种中国式创新,该方案胜在高性价比,一定程度上也能让用户用较低的价格享受快充的体验,但无法做到对手机零干扰,可能会出现掉线等情况的发生,而且由于不符合MFi规范,非Qi指定,存在一定的风险。更重要的是,它也无法满足苹果手机未来提出更严格的快充要求。
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