浅析EMI滤波器件的发展趋势
2019-01-02 15:40:23
来源：电子变压器与电感网
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电子设备的小型轻量化的发展促使EMI滤波器也不断朝小型化、片式化方向发展，多层片式EMI器件就是近年来随着高密度表面组装技术（SMT）的发展而发展起来的一种新型表面贴装元件（SMD），由于其小型化的潜力很大，成为近年来研究和开发的热点。这些EMI元器件包括片式磁珠型EMI/RFI抑制器、片式电感器、片式组合式（LC型等）滤波器、片式扼流圈等。在尺寸上，美国已制定出相关的标准，如1008(1.0mm×0.8mm)，0805，0603，2012等型号。由于这类EMI器件对采用的铁氧体材料有特殊的要求，不仅要求其烧结温度低、电阻率高、而且要不与内导体发生反应，因此，近年来投入大量的精力和财力研究降低该系列材料的烧结温度以及改进其电磁性能，取得了不少有价值的成果。
随着片式EMI器件尺寸的进一步缩小，如何在小尺寸滤波器上获得大的电感量或阻抗值将是今后需重点研究的内容。另外，为适应IC电路小型化精密PCB电路抑制EMI的需求，对薄膜型组合式滤波器的研究也逐渐增多。美国泰克公司、日本东北大学先后开发出薄膜π型和薄膜LCEMI滤波器，使用频段在1～1000MHz之间，最大插入损耗达到25dB。由于这种EMI器件完全采用薄膜工艺来完成，有望实现更高的集成度。
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随着片式EMI器件尺寸的进一步缩小，如何在小尺寸滤波器上获得大的电感量或阻抗值将是今后需重点研究的内容。另外，为适应IC电路小型化精密PCB电路抑制EMI的需求，对薄膜型组合式滤波器的研究也逐渐增多。美国泰克公司、日本东北大学先后开发出薄膜π型和薄膜LCEMI滤波器，使用频段在1～1000MHz之间，最大插入损耗达到25dB。由于这种EMI器件完全采用薄膜工艺来完成，有望实现更高的集成度。
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