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性能优异的GaN AC/DC变换器

2022-09-02 10:38:26 来源:电子变压器与电感网 点击:3322

一款新颖的低成本、结构紧凑USB型充电器,最近迅速涌向市场。其优点是具有高达100w的功率容量,这是USB型通讯协议支持的供电规格。这批新产品。对比早期装在较小机壳内的USB充电器,能实现更快的充电,尤其对移动式计算装置的用户极为有利。

该新产品的功率密度令人印象深刻:60W USB型充电器拥有20w/3(1.22w/cm3 )的功率密度。而价格仅25欧元。以前,在这个价位的USB充电器,其功率密度最大才10w/in3(0.61w/cm3)

这些高功率密度的新充电器,其基础的结构元件为氮化镓(GaN)三极晶体管。新充电器中,传统的硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率开关,由GaN高电子迁移率(mobility)晶体管(HEMT)所取代,这是经过试验合乎标准的,GaN功率开关技术无论在性能上和价格上均很优越,在功率系统中取代了硅MOSFET。

的确,GaN HEMT的应用,就像USB型充电器在用户市场所起的作用一样,对工业、电信、医疗或军用设备创造了同样的有利条件。由于减少了AC/DC功率级,因发热的功耗较小,对散热器的需求或对PCB(印刷电路板)铜底板散热的要求均不高,故GaN HEMT可使功率系统设计者达到更高的利用效率,节约了成本、节省了空间。此外,在GaN HEMT中的低功率损耗,对功率系统提高开关频率,减小尺寸、重量以及降低磁元件的成本,均提供了可供首选的方案。

这并不奇怪,目前这一技术上的重大突破,已激发起电源工程师们的极大兴趣。

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