性能优异的GaN AC/DC变换器
2022-09-02 10:38:26
来源：电子变压器与电感网
点击：4762
一款新颖的低成本、结构紧凑USB型充电器，最近迅速涌向市场。其优点是具有高达100w的功率容量，这是USB型通讯协议支持的供电规格。这批新产品。对比早期装在较小机壳内的USB充电器，能实现更快的充电，尤其对移动式计算装置的用户极为有利。
该新产品的功率密度令人印象深刻:60W USB型充电器拥有20w/吋3(1.22w/cm3 )的功率密度。而价格仅25欧元。以前，在这个价位的USB充电器，其功率密度最大才10w/in3(0.61w/cm3)
这些高功率密度的新充电器，其基础的结构元件为氮化镓（GaN）三极晶体管。新充电器中，传统的硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率开关，由GaN高电子迁移率（mobility）晶体管（HEMT）所取代，这是经过试验合乎标准的，GaN功率开关技术无论在性能上和价格上均很优越，在功率系统中取代了硅MOSFET。
的确，GaN HEMT的应用，就像USB型充电器在用户市场所起的作用一样，对工业、电信、医疗或军用设备创造了同样的有利条件。由于减少了AC/DC功率级，因发热的功耗较小，对散热器的需求或对PCB（印刷电路板）铜底板散热的要求均不高，故GaN HEMT可使功率系统设计者达到更高的利用效率，节约了成本、节省了空间。此外，在GaN HEMT中的低功率损耗，对功率系统提高开关频率，减小尺寸、重量以及降低磁元件的成本，均提供了可供首选的方案。
这并不奇怪，目前这一技术上的重大突破，已激发起电源工程师们的极大兴趣。
声明：转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益，请与我们联系，我们将及时更正、删除，谢谢。
暂无评论