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高频低损耗磁心研究方向

2004-10-14 10:58:33 来源:国际电子变压器2004年11月刊
1引言 随着科技的发展,人们对MnZn软磁铁氧体的要求越来越高,软磁磁心向小体积的方向发展,但是,功率损耗不能增加。还有,现代的电子产品都向小型化,高技能方向发展,促使磁性材料厂家提高产品的档次和质量,以满足客户的要求。本文主要对国外一些厂家所研制生产的材料如PC44、PC50进行分析,以及原材料的纯度,晶粒的微观情况及添加物对其性能的影响进行讨论。 2影响功率铁氧体性能的因素 现在的磁心在开关电源上使用,而对于变压器来讲,次级输出电压 V=K×f×△B×Ae×N (1) 式中:K—系数(正弦波取4.44,矩形波取4.0),f=开关频率,△B—工作磁通密度,Ae—磁心有效载面积,N—次级线圈匝数。 由式(1)可知V与f、△B、Ae、N成正比例,为得到同样大的输出电压V,我们提高了产品使用频率f后,那么就可以相应地减少△B或次级线圈N的匝数或减少磁心的体积。 从表1a、表1b中可知(b)中的μi值明显比(a)中的μi值低。而(b)中的fr明显比(a)中的高。由此可见,材料的截止频率与晶粒尺寸有明显的关系,由磁学理论可知fr有下面的关系: (2) 式中:μi—起始磁导率,MS—饱和磁化强度,β—阻尼系数,D—晶粒尺寸 由式(2)可知fr与D、μi成反比例,所以通过晶粒细化,减少晶粒尺寸,可以提高材料的截止频率也就提高了产品的工作频率。而μi值的高低,也就直接关系到fr的大小,要想提高fr,必须减少晶粒尺寸,但是晶粒尺寸的无限减少,必定增大损耗(分析见后)。 由式(2)可知fr与MS成正比。磁心在强磁场中工作,为了增大输出功率,改善产品的直流叠加性能,磁心必须具有高饱和磁通密度BS(即高的饱和磁化强度MS)。饱和磁通密度是由配方和密度决定的。我们现用的功率铁氧体配方大都在:Fe2O3:51~54mol%,MnO:35~40mol%,ZnO:8~12mol%之间。就PC44而言:BS都比较高,Fe2O3的mol含量较高,见国内厂家的配方:Fe2O3:53.3mol%、MnO:36.5mol%、ZnO:10.2mol%,PC50居里温度较高,Fe2O3的mol含量较高,ZnO的mol含量较低。 对PC44(TDK)而言,是在100kHz下工作,主要还是磁滞损耗。要降低磁滞损耗材料的饱和磁化强度MS要高(即要求饱和磁通BS高),磁晶各向异性常数K1,磁滞伸缩系数λS要小,材料的晶体结构要完整,均匀,晶格变形小,尽量减小内外应力σ,材料的杂质浓度要小,所以要选高纯度的优质材料。而就PC50而言,它是500kHz下工作,磁滞损耗在总损耗中占有不小的一部分,所以有必要减小磁滞损耗。材料的纯度好坏,也直接影响到剩余磁通密度Br(应力σ的大小,杂质浓度直接影响到剩余磁通密度Br),Br的好坏直接影响到材料的磁滞损耗。 磁滞损耗:主要是磁心在某一特定的磁场中运行一周后,所需要的能量损耗。从图1看,就是磁滞回线运行一周所围成的面积大小。 从图1中可知:要想磁滞回线的面积小,必须有小的矫顽力Hc,小的剩通密度Br,大的饱和磁通密度Br(即:需要大的△B,△B=BS-Br)。我们讨论一下如何提高饱和磁通密度BS,减小剩余磁通密度Br,减少矫顽力Hc的方法。 降低磁滞损耗的方法: 1)减少产品的矫顽力Hc a. 选择高纯度原材料(三氧化二铁Fe2O3,氧化锰Mn3O4,氧化锌ZnO),以减少杂质含量对矫顽力HC、剩余磁通Br的影响。 b. 添加一些有益的添加剂,以便减少矫顽力HC。国内外一致采用的添加剂,如SnO2、TiO2、Co2O3等添加物。添加Sn4+、Ti4+、Co3+可以进一步控制材料的磁晶各向异性常数K1,K1在很宽的温度范围内变得很小,这样可使μ变化很小,旋磁和介电损耗得到控制,同时加强了旋转磁导率,减少了畴壁磁导率,从而减少了畴壁阻尼损耗和磁滞损耗,因而降低了总功耗。 c. 涡流损耗与成正比,由此可知:减小涡流损耗,必要减少晶粒尺寸,增大电阻率ρ。增大电阻率,现行的方法是添加CaO和SiO2。CaO和SiO2在高温下反应,生成高电阻率的CaSiO3。CaSiO3在晶界生成,十分有效地提高了晶界之间的电阻率。现行的原材料(铁红Fe2O3)一般都含有100ppm左右的SiO2,所以,在高温(1350℃左右)烧结时,再加入SiO2就很容易出现大结晶(结晶析出)。所以我们必须降低烧结温度。 d. 烧结温度在1250℃~1300℃之间,产品的结晶比较细小,产品的损耗最低点Tp要向后移动。我们为了确保材料损耗的最低点温度Tp有效的控制在90℃~100℃之间,①要选择适当的配方和原材料。②在原材料中加入适量的NiO、SnO2、TiO2等添加物。加入的NiO取代部分MnO,使材料的Tp向高温方向移动,也不使磁滞损耗增大。加入SnO2、TiO2,Sn4+和Ti4+离子和多余的Fe2+生成共价键,致使Fe2+离子增大,Fe2+离子的K1值是正值,除了Co3+离子外,其它离子的K1值一般都是负值。Fe2+离子越多,K1值的正负相抵消,在低温区就能趋向于零。 2)相对损耗系数(tgδ/μi)与功耗PV存在着关系 tgδ/μi越低,则PV越小,因此降低相对损耗系数也是改善功耗的重要途径。 3结论 (1)PC44、PC50的最高烧结温度在1150℃~1300℃之间。可以减少晶粒尺寸,提高使用频率和截止频率。 (2)在PC44、PC50加入一些有益的添加剂。如SnO2、TiO2、NiO、Co2O3、CaO和SiO2。 (3)制作PC44、PC50时,采用高纯度的原材料。 (4)制作PC44、PC50时,尽量采用高配方。 (5)尽量减少产品的相对损耗系数,有益于改善功耗。 参考文献 [1] 《掺杂物对高频电源用MnZn铁氧体磁性的影响》. [2] 《SnO2代换的低损耗MnZn铁氧体》. [3] 《添加SnO2的MnZn铁氧体的功耗》.
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