摘要：  LED光源具有光效高、光色全、寿命长、环保、尺寸小等优点，能够应用在各种各样的照明、显示、背光等领域。LED在提升光源质量和效用的同时，能够节约能源，改善环境污染，有利于国计民生的和谐发展，因此发展LED照明具有重大意义。本文在分析LED发光机理的基础上，阐述了LED半导体材料的发展历程，介绍了LED光源的优点和几个主要的应用场合，分析了国内外产业的发展状况，并指出LED光源面临的几个问题，最后进行了总结与展望。

关键字：  LED，光源，照明，半导体材料

l 引言
自1879年爱迪生发明白炽灯以来，电光源照明已经经历一个多世纪，这其中有三个重要的发展阶段，其代表性光源分别是白炽灯、荧光灯和HID（高强度气体放电）灯。白炽灯安装使用简便，但它是热辐射光源，绝大部分输入电功率都变成了红外辐射以及较大的热损失，落在可见光区的辐射所占比例较小，因而其光效较低，而且寿命短，易损坏。荧光灯的工作原理是：电流激发汞原子并使它们发出紫外线光子，这些光子激发荧光粉发出可见光。虽然其较白炽灯可以省电，但由于受到紫外线转换成可见光效率的制约，光效提高也有限，而且存在电磁污染、使用寿命短、易碎等缺点，其主要组成部分汞还会造成环境污染。HID灯光效已经可以超过100lm/W，但由于热导及紫外、红外等损失，光效也很难有较大的提高，且存在成本高、维护困难、寿命短、电磁辐射等问题。近几十年来，人们对于开发新照明光源的研究和探索从未停止过。欧洲专门制定了五年行动计划[1]，提出新型光源要符合三个条件：高效、节能；材料对环境无害；模拟自然光，显色指数接近100。
随着新一代半导体材料AlGaAs（砷化铝镓）、AlInGaP（磷化铝铟镓）和AlInGaN（氮化铝铟镓）的出现和发光二极管(Light Emitting Diode， LED)封装等技术的突破，单晶片红、绿、蓝、白光LED的功率等级不断提高[2]，高亮度LED有望成为第四代光源。LED是电光源发展的一次全新革命和重大突破，从根本上改变了光源发光的机理，具有光效高、光色全、寿命长、环保、尺寸小等优点，能够应用在各种各样的彩色和白色照明领域。LED光源在提升照明质量和效用的同时，能够节约能源，改善环境污染，有利于国计民生的和谐发展。因此积极研究LED光源新技术，加快发展LED照明产业具有重大的经济效益和深远的社会意义。
2 LED的发光机理
LED是由Ⅲ-V族化合物[3]，如GaAs（砷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）、AlGaAs等半导体制成，其核心是PN结，因此它具有一般PN结的伏安特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高[4]。与前几代光源光效的提高受制于发光原理相比，利用载流子的复合发光是LED的一个革命性优势，随着半导体材料的改进和相关技术的成熟，LED的发光效率有可能接近100％。
3 LED材料的发展历程
由LED发光机理可知，依材料的不同，电子和空穴所占有的能阶也不同，其相对能阶高度差即是决定两种载流子结合所发出能量的高低，可以产生具有不同能量的光子，藉此可以控制LED所发出光的波长，也就是光谱或颜色。因此，欲决定LED所发出光的颜色，可以由材料的结构来选择。实际上，LED的发展即是以半导体材料的发展为基础的。
制造历史上第一个半导体激光器所使用的材料是p-n同构接面的GaAs，其能隙为1.424eV，所放出的光子波长大约在0.84μm，落于红外光谱。这种能隙与所发出光子波长的关系可以很容易由理论推算而来，研究人员依这些理论推算结果反推而预测出在各种可见光范围所须采用的材料，再根据这些材科的特性而设计出制程技术以及相关设备。在发光材料中最为研究人员所熟知的除了GaAs之外，另有一种结构类似的称为磷化镓(GaP)的材料，其能隙为2.261eV。将GaAs与GaP两种材料混合，可以得到GaAsl-xPx的结构，其中x代表着磷元素取代砷元素的百分比。当x由0渐增至1时，材料结构由GaAs渐变为GaP。其能隙则由1.424eV增至2.261eV。在此范围内，理论上可以得到涵盖红外光至绿光范围的所有光波长。实际上，GaAsl-xPx系统即是早期LED工业最重要的材抖结构。1962年，首个红光LED用复合半导体材料GaAsP制成。一直到四元元素发展成熟之前，几乎所有可见光LED都是以这一系列的材料制造。除了GaAs所发的红外光之外，其中应用最广的首推GaP以及GaAs0.6P0.4的红光LED，GaAs0.35P0.65的橙光的能隙在该系列材料中为最高值，所发出的波长也最短，但却只 达到绿光范围[5]。
早期的红光LED光效很低，随着半导体材料AlCaAs的出现以及全晶格匹配直接能隙技术的应用[6]，其光效有了显著的提高，超过了带红色滤光片的白炽灯。采用在AlGaAs衬底上再生长AlGaAs的透明衬底技术又将红光LED的光效增加了一倍[7]。
OMVPE（有机金属气相磊晶）技术的发展促进了一种新材料AlInGaP的诞生，从而使得高亮度LED的发展由黄光转为红光。1990年代早期，Lumileds照明公司应用AlInGaP材料制作的高亮度LED可以发出红光及其附近波长的光谱[8]。
最初，AlInGaP材料的性能并非特别良好，合金有序化、受主原子氢钝化、P—N结的定位和含铝半导体层的氧合是亟待解决的几个问题[9]，研究人员耗费近十年的时间将此问题解决之后，采用AlInGaP制作的LED其内部的光量子转化效率得以大幅提高，接近100％，几乎每一对电子和空穴复合都能够产生一个光子[10]。然而，这些内部的光子却不能完全转化为LED外部的可见光。最主要的障碍在于光子会被GaAs基上的狭窄能隙吸收。1994年，Hewlett-Packard（惠普）公司采用蚀刻法将GaAs基除去，并采用晶片键合工艺以透明GaP取而代之，使其光效得到了显著改善，达到25lm/W，几乎是带红色滤光片白炽灯的十倍。红色LED也逐步应用于汽车尾灯、交通信号灯和户外广告牌等场合。
AlInGaP商用化不久后，Nichia Chemical（日亚化学）公司的Shuji Nakamura、名古屋大学的Akasaki和Amano两位教授、以及名城大学逐步掌握了一种新的半导体材料制作工艺，即采用气压OMVPE在蓝宝石衬底上生长AlInGaN[11， 12]。与AlInGaP相比，AlInGaN的能隙较宽，能够发出绿、蓝和紫外光，但光效较低[13]。AlInGaN绿光LED光量子转化效率约为20％- 40％，蓝光约为40-60％。尽管绿光LED光效较低，但人眼对绿光的敏感程度比蓝光和红光高，于是Nichia Chemical和Lumileds等公司采用红、绿、蓝三基色LED制成了可以全色显示的指示灯和信号灯。
半导体技术和材料的不断进步极大地推进了LED的发展。在过去的几十年里，与大规模集成电路中著名的摩尔定律[14]相似，LED光通量的不断提高遵循着Haitz定律[15]，即每18-24个月翻一番。最近十年，高亮度化、全色化一直是LED材料和器件工艺技术研究的前沿课题。高亮度是指发光强度达到或超过100mcd的LED，又称坎德拉(cd)级LED。高亮度AlInGaP和InGaN的研制进展十分迅速，现已达到常规材料GaAlAs、GAAsP、GaP无法达到的性能水平。1991年日本东芝公司和美国惠普公司研制成AlInGaP 620nm橙色高亮度LED，1992年AlInGaP590nm黄色高亮度LED实用化。同年，东芝公司研制成功InGaAlP 573nm黄绿色高亮度LED，法向光强达2cd。1994年日本日亚公司研制成InGaN 450nm蓝（绿）色高亮度LED[16]。至此，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED都达到坎德拉级的发光强度，实现了高亮度化和全色化。
高亮度红AlGaAs系列LED与GaAsP系列LED相比，具有更高的发光效率，透明衬底AlGaAs系列LED (640nm)的流明效率已接近10lm/w，比红色GaAsP系列LED大10倍。高亮度AlInGaP系列LED提供的颜色与GaAsP系列LED相同，包括：绿黄色(560nm)、浅绿黄色(570nm)、黄色(585nm)、浅黄(590nm)、橙色(605nm)、浅红(625nm)、深红(640nm)。透明衬底AlInGaP系列LED发光效率与其它LED结构比较，吸收衬底AlInGaP系列LED的流明效率为10lm/w，透明衬底为20lm/w，在590-626nm的波长范围内比GaAsP系列LED的流明效率高10-20倍；在560-570的波长范围内则比GaAsP-GaP LED高2-4倍。高亮度InGaN LED提供兰色光和绿色光，其波长范围兰色为450-480nm，兰绿色为500nm，绿色为520nm，流明效率为10-15lm/w。高亮度LED目前的流明效率已超过了白炽灯，可以取代功率lw以内的白炽灯，而且用LED阵列可以取代功率150w以内的白炽灯。对于许多应用，白炽灯都是采用滤光片得到红色、橙色、绿色和兰色，而AlInGaP和InGaN材料制造的高亮度LED将多个（红、蓝、绿）高亮度LED芯片组合在一起，无须滤光片也能得到各种颜色，包括红、橙、黄、绿、蓝，目前其发光效率均已超过白炽灯，正向荧光灯接近，发光亮度已高于1000mcd[17]。
4 LED光源的优点
(1) 光线质量高。LED是基于半导体中载流子的复合而发光的，光谱几乎全部集中于可见光频率，不包含紫外线和红外线，故无热量无辐射，效率可以达到80%-90%[8]。
(2) 能耗小。在当前全球能源短缺危机不断升高的背景下，节约能源是我们面临的重要问题。在同样亮度下，LED电能消耗仅为白炽灯的1/l0，而寿命则是白炽灯的100倍[19]。目前我国每年用于照明的电力约2500亿千瓦时，如果采用LED照明，每年就可节电2200多亿千瓦时，而这个数字是三峡电站年发电量的3倍[20]，可见LED的节能效果相当可观。
(3)调光性好。与白炽灯和荧光灯不同，LED的调光性能极佳，控制较为方便。只要调整正向电流，就可以调节光的强度和颜色，不同光色的组合变化多端，利用时序控制电路，更能达到丰富多彩的动态变化效果。其丰富的色彩、良好的可控性、变化多端的照明特色远非白炽灯和荧光灯等传统光源所能及。
(4)响应速度快。LED本身的工作机理决定了其发光对电流的响应速度极快，因此适合频繁开关以及高频运作的场合。
(5)应用灵活。LED体积小，封装灵活，可以做成点、线、面等各种形式的轻薄短小产品。
(6)可靠耐用。LED是环氧树脂封装的固体光源，结构中没有灯丝、玻璃壳等容易损坏的部件，是一种全固体结构，能够经受得住震动、冲击而不致引起损坏，非正常报废率很小，维护费用极为低廉。
(7)安全环保。LED单位工作电压大致在1.5-5V之间，目前功率等级最大的单个LED工作电流也仅几安培，对人体无害。LED废弃物可回收，没有污染，不像荧光灯一样含有汞等有害物质。
(8)寿命长。LED光通量衰减到70％的标准寿命是10万小时[19]，约合50年，是白炽灯的100倍。
5 LED光源的应用
5.1 汽车信号指示灯
LED用于汽车指示灯与传统白炽灯相比具有许多优点。LED能够经受较强的机械冲击和震动。平均工作寿命MTBF比白炽灯泡高出几个量级，远远高于汽车本身的工作寿命，因此LED刹车灯可封装成一个整体，而不必考虑维修。LED与白炽灯相比具有相当高的流明效率，这样LED刹车灯和方向灯就能够在较低的驱动电流下工作，较低的电功率可降低汽车内部线路系统的体积和重量，同时还可减小集成化的LED信号灯的内部温升，允许透镜和外罩使用耐温性能较低的塑料，降低整车成本。LED刹车灯的响应时间为100ns，比白炽灯的响应时间短，这样便给司机留下更多的反应时间，从而提高了行车安全保证[21]。
5.2 交通信号指示灯
用LED取代白炽灯，用于交通信号灯、警示灯、标志灯现已遍及世界各地，市场广阔，需求量增长很快。据日本交通部门统计，日本每年在交通信号灯上的耗电量约为100万千瓦，采用LED取代白炽灯后，其耗电量仅为原来的12％[21]。
LED交通信号灯与白炽灯相比，工作寿命较长，一般可达到10年。目前高亮度AlGaInP红、橙、黄色LED已实现产业化，价格也比较便宜，若用红色高亮度LED组成的模块取代传统的红色白炽交通信号灯头，则可将因红色白炽灯突然失效给安全造成的影响降低至最低程度。一般LED交通信号模块由若干组串联的LED单灯组成，当有一个LED单灯失效时，只会影响一组信号，而不会像白炽灯那样使整个信号灯头失效。
5.3 大屏幕显示
大屏幕显示是LED应用的另一巨大市场，包括：图形、文字、数字的单色、双色和全色显示。传统的大屏幕有源显示一般采用白炽灯、光纤、阴极射线管等方法。LED显示曾一度受到LED本身性能和颜色的限制。如今，AlGaInP、TS-AlGaAs、InGaN LED已能够提供明亮的红、黄、绿、蓝等各种颜色，完全满足实现全色大屏幕显示的要求。用蓝、绿和红LED灯作为LED显示的三基色，可以提供逼真的全色性能，而且具有较大的颜色范围包括：蓝绿、绿红等，与国际电视系统委员会(NTSC)规定的电视颜色范围基本相符[22]。
5.4 液晶显示(LCD)的背光源
至少有10％的液晶显示采用有源光作为背光源，光源可使LCD显示屏在黑暗的环境下易读，全色LCD显示也需要光源。LCD背光源主要有：白炽灯泡、场致发光、冷阴极荧光、LED等，LED在LCD背光源中有很强的竞争力，单个LED体积小，极容易组合在一起成为面光源，具有很好的亮度均匀性，所需的辅助光学组件可以做得非常简单。LED背光源颜色范围宽，色彩表现力强于其他几种背光源，可对显示色彩数量不足的液晶技术起到很好的弥补作用，色彩还原好。
5.5 普通照明
全色高亮度LED的实用化和商品化，使照明技术面临一场新的革命，由多个高亮度红、蓝、绿三色LED制成的固体照明灯不仅能够发出波长连续可调的各种色光，而且还可以制成高亮度的白色照明光源。这种体积小、重量轻、方向性好、节能、寿命长、耐各种恶劣条件的固体光源必将对传统的光源市场造成冲击。尽管这种新型照明固体光源的成本依然偏高，但可以应用于一些特殊场合如矿山、潜水、抢险、军用装置的照明等。从长远看，如果高亮度LED的生产规模进一步扩大，成本进一步降低，其在节能和长寿命的优势足以弥补其价格偏高的劣势。LED将成为一种很有竞争力的新型电光源[22]。
6 国内外研究情况
由于半导体照明具有良好的应用前景，美国、日本、欧盟、韩国等在近年内相继推出国家半导体照明计划，以加大研究开发力度。日本投资50亿日元推行“21世纪光计划”，制定了由多所公司和大学参加的《21世纪照明技术》研究发展计划[19]，计划到2010年左右使得LED的发光效率达到120lm/w[23]；美国能源部设立了由13个国家重点实验室、公司和大学参加的“半导体照明国家研究项目”[19]，从2000-2010年的10年间，耗资5亿美元开发LED照明[24]。预计到2010年，用LED灯取代一半以上的白炽灯和荧光灯[25]；欧盟则委托6个大公司和两所大学，于2000年7月启动了“彩虹计划”[19]；韩国计划在2000-2008年间投入12亿美元，目标是将LED的发光效率提高到80lm/W[26]。韩国光子技术所(KOPTI)正在联合由许多大学、产业界和研究机构组成的联盟以发展新的LED照明技术和组建几个具有竞争力的产业支撑体系，并在2003年提出了LED照明的国家工程，得到了韩国政府批准[27]。我国台湾地区也在组织实施相关计划，设立了由16个生产科研机构和大学参加的“21世纪照明光源开发计划”[19]。
与此同时，世界三大照明公司GE、Phillips、Osram集团都已启动大规模商用开发计划，纷纷与半导体公司合作或进行并购，成立半导体照明企业，并提出要在2010年前，使LED灯发光效率再提高8倍，价格降低100倍[28]。
我国自主研制的第一只LED，比世界上第一只LED仅仅晚几个月。但从总体上看，目前我国半导体LED产业的技术水平与发达国家还有很大差距。大功率LED封装领域的产业化技术研究开发尚处于起步阶段，竞争力不强。而大功率LED用外延片和芯片还处于研发阶段，离产业化水平相距甚远。2003年6月17日，“国家半导体照明工程计划”开始启动。2004年7月3日，科技部宣布正式启动该工程的首批50个项目。根据计划，到2012年后LED照明将逐步取代白炽灯和荧光灯。国家发改委计划“十一五”期间安排100亿元资金用于发展我国LED照明 产业，以保证我国在该领域与国际同步发展[29]。我国相关科研 和生产单位正在有针对性地加大对高亮度LED高档芯片和大 功率外延片、芯片的研发工作，提高大功率LED封装技术水平和产业化程度，大力开发和推广LED应用，扩大产业化规模，逐步建立并完善LED产业链。
7 LED光源面临的问题[30-39]
(1)单片LED的功率。目前单片LED的最大功率是5-10W，还远没有真正达到照明的等级。小功率等级的照明可以采用单片LED，大多数应用场合中，必须将多个LED晶片集中封装才能达到照明的要求，这必然对系统的供电、散热以及光学系统的设计等方面提出了苛刻的要求。
(2)光谱质量与光源稳定性。由于人眼对光源的颜色以及光谱的分布相当敏感，光谱偏移即意味着灯的质量低劣。因此如何提高LED光源的质量与稳定性非常重要，目前LED本体器件对这一要求的满足还有相当大的困难，而且随着使用时间的推移以及周边环境的改变（如温度），这一问题更严重。另外，各个LED之间由于材料、封装、生产工艺等原因，其光电参数存在一定的差异，在用多个LED组成光源的情况下，必须考虑如何保证各个LED发光性能的一致性。通常可以检测光参数并形成闭环反馈控制来解决这类问题，但增加了系统的复杂性，成本会上升。
(3)光衰。尽管LED晶片的寿命在100000小时以上，但如果LED晶片结温超过其限定值，会引起其发光强度的衰减，即随着使用时间的增加，LED的光强会逐渐变弱，直至失效，严重缩短了LED光源的寿命。在制作LED灯具时，必须合理地选择芯片、设计良好的封装形式、提供可靠的散热结构。
(4)成本。鉴于各种原因，目前LED光源的成本特别是单位流明的成本相对较高，尽管在某些能源供给稀缺的场合（比如太阳能供电的小岛），能耗小具有其优势。但多数场合下，成本高的问题限制了LED光源的应用和推广。
(5)半导体材料与工艺。LED光源的核心是半导体材料，前面提到的问题多数根源于半导体晶片的制造和器件封装，实际上LED照明发展的主线也是其晶片材料持续更新和加工工艺不断进步的过程。研究和开发新的LED半导体材料对于优化光源质量、提高发光效率、减缓光衰程度、降低系统成本等具有重要的意义。
(6)白光LED。目前，LED实现白光的方法主要有三种。一是通过红绿蓝三基色多芯片组和发光合成白光，该方法的优点是效率高、色温可控、显色性较好，缺点是三基色光衰不同导致色温不稳定、控制电路较复杂、成本较高。二是蓝光LED芯片激发黄色荧光粉，由LED蓝光和荧光粉发出的黄绿光合成白光，为改善显色性能还可以在其中加入少量红色荧光粉或同时加入适量绿色、红色荧光粉，该方法的优点是效率高、制备简单、温度稳定性较好、显色性较好，但也存在着一致性差、色温随角度变化的缺点。三是紫外光LED激发荧光粉合成白光，优点是显色性好、制备简单，缺点在于有紫外光泄漏问题，效率较低。
(7)驱动电源。LED本身的特性对其驱动电源也提出了较为严格的要求。目前，低效率的供电系统影响了LED节能效果。性能优良、高效率、低成本、小体积、高可靠性、长寿命的驱动是保证LED发光品质及整体性能的关键。在一些亮度和色彩要求变化的场合，还须为其研究和设计专用的驱动控制和调光电路。
8 结语
LED是电光源发展的一次全新革命和重大突破，从根本上改变了光源发光的机理，具有光效高、光色全、可调光、寿命长、环保、尺寸小等优点，能够应用在各种各样的信号、照明和显示领域。LED在未来的市场前景被业界看好，对全球照明工业将造成巨大冲击，是21世纪的照明新光源。目前LED还处于初期发展阶段，许多关键问题有待克服。随着半导体材料、封装以及驱动电源等技术的不断进步和优化，一些相关问题将逐步得到解决，LED光源的优势会更加彰显。
我国半导体照明与国外存在较大差距，应在制订发展计划和相关产业政策的基础上，加大投入，切实、有效地开展应用基础和关键技术研究，并注意适时发展相应的产业。相关高校、研究单位和相关企业在发展LED照明技术和产业方面也应加强合作，实现优势互补，共同打造我国LED照明产业的美好未来。
参考文献
[1] 方志烈. 白光LED引发照明技术革命[N]. 中国电子报， 2004(30).
[2] J．Tsao，Solid-state lighting：lamps，chips and materials for tomorrow，IEEE Circuits Devices Mag．vo1．20，28—37， May/Jun. 2004．
[3] A．Zukauskas，M．S Shur，and R．Gaska，Introduction to Solid-State Lighting．New York：Wiley，2002．
[4] Arpad A．Bergh，P．J．Dean，Light-Emitting Diodes，Proceedings of the IEEE，Invited paper，1972，60(2)．
[5] N．Holonyak Jr．and S．F．Bevaqua，Coherent (visible) light emission from GaAsl-X PX junctions，Appl．Phys．Lett．1962. 1，82—83．
[6] H. Rupprecht，J．M. Woodall，and G. D. Petit，Efficient visible electroluminescence at 300K from Gal-XAlXAs p-n junctions grown by liquid-phase epitaxy，Appl．Phys．Lett．1967，11：81—83．
[7] H．Ishiguro，K．Sawa，S．Nagao，H．Yamanaka，and S Koike， High efficency GaAlAs light-emitting diodes of 660nm with a double heterostructure on a GaAlAs substrate，Appl．Phys．Lett．1983，43：1034—1036．
[8] C．P．Kuo，R．M．Fletcher，T．D. Osentowski，M．C．Lardizabal，M．G．Craford，and V．M．Robbins，High performance AlInGaP visible lightemitting diodes，Appl．Phys．Lett．1990．57：2937—2939．
[9] S．A．Stockman and G．E．Stillman，Hydrogen in Ⅲ-V device structures，Mater．Sci．Forum，148-149，501-536，1994．
[10] M．R．Krames et al．High-power truncated inverted pyramid (AlXGal-X)0.5In0.5 P/GaP light-emitting diodes exhibting>50% external quantum efficiency，Appl．Phys．Lett．1999，75：2365—2367．
[11] S．Nakamura，GaN Growth using GaN Buffer Layer，Jpn．J．
    Appl．Phys．，pt．2，P．L1705，1991．
[12] H. Amano，N．Sawaki，I. Akasaki，and Y. Toyoda，Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer Layer，Appl．Phys．Lett．1986，48：353．
[13] W．Goetz et al．Activation of acceptors in Mg doped GaN
    grown by metalorganic chemical vapor deposition，Appl．
    Phys．Lett．1996，68(5)：667—669．
[14] G．E．Moore，Cramming more components onto integrated
    circuits，Electron．1965，38(8)．
[15] R．Haitz，private communication．
[16] 方志烈．发光二极管材料与器件的历史、现状和展望[J]．物
    理学和高新技术，2003，32(5)：295—301．
[17] R．V．Steele，High-brightness LED market overview，in
    Proc．SPIE，vol．4445，2001，1—4．
[18] 刘木清，周德成，梅毅．LED与传统光源光效比较分析．照  明工程学报，2006．12．第17卷第4期．
[19] 徐江善．绿色革命——半导体照明[J]．记者观察，2003    (10)：49—50．
[20] 冯丽．固态照明节电是最有效的环保工程和节电手段．新华    网江西频道，2004，7，12．
[21] 李奇英，唐渊明．超高亮度LED的发展和应用．电子元器    件应用，2001，12．
[22] 卢有祥．高亮度LED的发展和应用．光电技术，2006，3．
[23] 宋晓舒．日本半导体照明工程[J]．光机电信息，2003(11)：7    —12．
[24] Wang Yao．On the present status，developing opportunities and suggestions about China's semiconductor lightings industry[c]．International Forum on LED & Semiconductor Lighting，2004：130—136．
[25] 美国下一代照明计划．新材料在线，2003—10—25．
[26] 吴玲．国家半导体照明工程进展情况[C]．2004中国(上海)    国际半导体照明论坛，2004．
[27] Young Moon YU，Jong Hyeob Baek．Recent activities for LED and semiconductor lightings in Korea[c]．International Forum on LED & Semiconductor Lighting，2004：11．
[28] 李建．打造中国半导体照明新型产业[N]．消费日报，2003  —08—22．
[29] 厦门半导体照明形成产业链基础[N]．中国高新技术产业导报，2003—11—07．
[30] Wendt．M，Andriesse．J-W，LEDs in Real Lighting Applications：from Niche Markets to General Lighting，The 2006 IEEE Industry Applications Conference Forty-First IAS Annual Meeting，Conference Record of Volume 5，Oct．2006，Page(s)：2601—2603．
[31] R Haitz，F．Kish，J．Y．Tsao，J．Nelson，The Case for a National Research Program on Semiconductor Lighting，1999 ptoelectronics Industry Development Association(OIDA) forum，Washington D. C.