晶闸管(晶闸管)一般指晶体闸流管 晶体闸流管(Thyristor)又称作可控硅整流器,曾被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品,并于1958年使其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流
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本文依据专利发明论述一种五芯柱双6相半波並联的可控整流电路,它采用新颖的双控制角调节输出直流电压和功率因数或谐波而比传统带平衡电抗器 6 相半波可控整流电路和五芯柱 6 相半波可控整流电路有较高功率因数和较低谐波,同时减少晶闸管的并联数量,它可广泛用于制造低压大电流和特大电流直流电源。
逆变电源把直流电逆变成交流电的电路称为逆变电路。在特定场合下,同一套晶闸管变流电路既可作整流,又能作逆变。
目前,由于开关电源[1]效率高,小型化等优点,传统的线性稳压电源、晶闸管稳压电源逐步被直流开关稳压电源所取代。开关电源主要的控制方式是采用脉宽调制集成电路输出PWM 脉冲,采用模拟PID调节器进行脉宽调制,这种控制方式,存在一定的误差,而且电路比较复杂。
电力电子开关器件的模型建立一直是一个研究难点,其真实性和精确性是衡量建模的标准。本文对基本电力电子开关器件如二极管、GTO、晶闸管、Mosfet和IGBT的现有仿真模型进行了归纳和总结,并比较了各种器件不同模型之间的优缺点和适用场合,由此为电力电子开关器件的分析提供研究基础。
今日作为全球电路保护领域的领先企业Littelfuse公司推出Q6008LH1LED/Q6012LH1LED系列三端双向可控硅和Q6008LTH1LED/Q6012LTH1LED系列QUADRAC晶闸管电源控制设备。
双向可控硅是一种功率半导体器件,也称双向晶闸管,在单片机控制系统中,可作为功率驱动器件,由于双向可控硅没有反向耐压问题,控制电路简单,因此特别适合做交流无触点开关使用。
随着20世纪90年代初电力电子器件的发展,目前国内中频电机组正呈被淘汰的格局,静止变频设备开始大量使用,特别是在音频、超音频领域,表现更为明显。80年代、90年代,国内静止变频基本上采用晶闸管作为功率开关元件,工艺水平基本上以8KC为上限。
变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后,电力电子器件经历了SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电感应晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)的发展过程,器件的更新促