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文章介绍采用晶片级封装(WLP)技术制造高性能无源元件之片上电感器和片上天线的工艺过程：使用电镀方法电镀出较厚的铜(Cu)膜，在膜上进行二次布线（以减小电阻值），并用较厚的树脂薄膜把电感器与硅基片进行隔离，从而组成无源元件。这种元件性能优良，如片上电感器在F=2GHz时，L=5nH，Q≈30；而且，Si基片对片上电感器性能的影响仅为传统电感器的十分之一。为了增加这种电感器的电感值L，还制作了在晶片
由于无线通讯设备的强烈需求，促进了无线电收发两用设备向着集成为一个整体的方向进行研究探索。在基本的电子元件中，与硅集成电路相容性最差的是电感器件，尽管在峰窝通讯设备中，多数电感器是被要求用来执行振荡器、滤波器和匹配网络功能的。采用金属喷涂工艺制造的螺旋线电感器已经被集成到硅基片集成电路上，但是，由于其被集成到硅基片会引起寄生电容和产生损耗，所以还不能完全地进行集成。我们制作一种在硅基片上集成的三维
硅基片上的高Q螺旋型微电感器
