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研究了基于新一代宽禁带1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 三相双向逆变器，由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET 的双向第三象限导通特性，与硅基IGBT 相比省略了开关器件的反并联二极管。
作为新型半导体材料功率器件的代表，碳化硅双极结型晶体管（SiC BJT）相较硅基晶体管有许多独特的优势，如高电流增益、优良的耐高温可靠性、制作工艺简单以及无碳化硅栅氧可靠性问题，在军用以及日常应用中有着广泛的应用前景。但其作为电流型器件
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。一方面，它可以实现很高的功率密度，从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面，它是提高能效的关键。
据Display Search预计，2015年将达到5800万个的出货量。但Intersil的估计更为乐观，认为会超过此数字。微型投影主要采用三类技术：DLP(数字光学处理技术)、LCoS(硅基液晶)和MEMS(微机电系统)，Intersil提供三类方案。DLP的主要供应商——TI的高级副总裁兼DLP产品事业部总经理Kent Novak介绍：微投是TI的DLP业务中增长最快的，DLP目前占整个微投
5月9日，具有自主知识产权的高性能硅基薄膜太阳能电池组件在湖南共创光伏科技有限公司正式下线。湖南省委常委、副省长陈肇雄出席投产仪式。据该公司首席科学家李廷凯介绍，这是全国乃至全球最先进的一条硅基薄膜太阳能电池生产线，可生产出光电转化率达12%的产品，而目前同类产品的光电转化率一般在9%以下。
文章介绍采用晶片级封装(WLP)技术制造高性能无源元件之片上电感器和片上天线的工艺过程：使用电镀方法电镀出较厚的铜(Cu)膜，在膜上进行二次布线（以减小电阻值），并用较厚的树脂薄膜把电感器与硅基片进行隔离，从而组成无源元件。这种元件性能优良，如片上电感器在F=2GHz时，L=5nH，Q≈30；而且，Si基片对片上电感器性能的影响仅为传统电感器的十分之一。为了增加这种电感器的电感值L，还制作了在晶片
由于无线通讯设备的强烈需求，促进了无线电收发两用设备向着集成为一个整体的方向进行研究探索。在基本的电子元件中，与硅集成电路相容性最差的是电感器件，尽管在峰窝通讯设备中，多数电感器是被要求用来执行振荡器、滤波器和匹配网络功能的。采用金属喷涂工艺制造的螺旋线电感器已经被集成到硅基片集成电路上，但是，由于其被集成到硅基片会引起寄生电容和产生损耗，所以还不能完全地进行集成。我们制作一种在硅基片上集成的三维
薄膜电池不仅是一种$高效能源产品，又是一种新型建筑材料。在国际市场硅原材料持续紧张的大环境之下，薄膜太阳电池已经逐渐成为了国际光伏市场发展新的趋势和新的热点。当前，进入产业化大规模生产的薄膜电池主要有硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池(cigs)、碲化镉薄膜太阳能电池三种。
国内锂离子动力电池所需材料中，“大佬”杉杉科技（集团）有限公司（以下简称“杉杉科技”）就差隔膜了。 近日，四川双流经济开发区汉能一期300兆瓦薄膜太阳能电池生产基地正式建成投产，成为目前全球单厂产能最大的硅基薄膜太阳能电池项目。
近日，中海鑫亚科技有限公司在山东德州市宁津县投资的GW级硅基薄膜电池生产线开工建设，该项目总投资额为156.16亿人民币，将采用欧瑞康太阳能的硅基薄膜电池生产线，建成后将形成1080兆瓦的硅基薄膜电池产能。
